半导体封装件
    3.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113937079A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202110431578.2

    申请日:2021-04-21

    Inventor: 朴智镛 金德圭

    Abstract: 公开了一种半导体封装件,其包括:基体膜,所述基体膜具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;多条输入/输出线,所述多条输入/输出线位于所述基体膜的所述第一表面上;半导体芯片,所述半导体芯片设置在所述基体膜的所述第一表面上并且连接到所述输入/输出线,并且包括中央部分和位于所述中央部分的相对侧上的端部;和散热图案,所述散热图案位于所述基体膜的所述第二表面上。所述散热图案对应于所述半导体芯片并且具有多个开口,所述多个开口对应于所述半导体芯片的所述端部并且与所述半导体芯片的所述端部垂直交叠。

    半导体封装
    4.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN117238881A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202310664620.4

    申请日:2023-06-06

    Inventor: 沈钟辅 朴智镛

    Abstract: 一种半导体封装包括第一再分布基板、在第一再分布基板上的半导体芯片、以及与半导体芯片的侧表面间隔开的垂直导电结构。每个垂直导电结构包括线和覆盖线的侧表面的金属层。线的顶表面从金属层暴露。

    半导体封装及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117238880A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202310331827.X

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 一种半导体封装包括:封装衬底;衬底焊盘,设置在封装衬底的顶表面上;至少一个芯球,在至少一个衬底焊盘上;重分布衬底,设置在封装衬底的顶表面上;以及半导体芯片,安装在重分布衬底上。重分布衬底通过设置在重分布衬底的底表面上的多个焊球电连接到封装衬底。至少一个芯球电连接到重分布衬底。至少一个芯球的直径大于多个焊球中的每个焊球的直径。

    膜型半导体封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN107887358B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201710679505.9

    申请日:2017-08-10

    Abstract: 本发明公开了膜型半导体封装以及制造膜型半导体封装的方法。该膜型半导体封装包括布置在膜基板上的金属引线部分、包括焊垫的半导体芯片以及将金属引线部分连接到半导体芯片的焊垫的凸块。凸块包括:金属柱,布置在焊垫上并且包括第一金属;以及焊接部分,布置在金属柱的整个表面上,接合到金属引线部分并且包括第一金属和不同于第一金属的第二金属。

    膜型半导体封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN107887358A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201710679505.9

    申请日:2017-08-10

    Abstract: 本发明公开了膜型半导体封装以及制造膜型半导体封装的方法。该膜型半导体封装包括布置在膜基板上的金属引线部分、包括焊垫的半导体芯片以及将金属引线部分连接到半导体芯片的焊垫的凸块。凸块包括:金属柱,布置在焊垫上并且包括第一金属;以及焊接部分,布置在金属柱的整个表面上,接合到金属引线部分并且包括第一金属和不同于第一金属的第二金属。

    半导体封装件
    9.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117012723A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310049527.2

    申请日:2023-02-01

    Abstract: 提供了一种半导体封装件,其包括:支撑布线结构;半导体芯片,位于所述支撑布线结构上;覆盖布线结构,位于所述半导体芯片上;以及填充构件,填充在所述支撑布线结构与所述覆盖布线结构之间,其中,所述覆盖布线结构包括:腔,所述腔从所述覆盖布线结构的下表面延伸到所述覆盖布线结构中并且所述半导体芯片的上部位于所述腔中;以及第一槽和第二槽,在第一水平方向上分别具有第一宽度和第二宽度,所述第一槽和所述第二槽与所述腔连通并且分别延伸到所述覆盖布线结构的在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。

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