碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105712314A

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201410761006.0

    申请日:2014-12-05

    Inventor: 魏洋 范守善

    Abstract: 本发明提供一种碳纳米管膜的制备方法,首先提供一代替基底及多个碳纳米管阵列,该多个碳纳米管阵列分别设置在多个生长基底的表面;将该多个碳纳米管阵列设置在该代替基底的同一表面,并使该代替基底与该多个碳纳米管阵列之间具有液态介质;使液态介质固化变为固态介质;使该代替基底与该多个生长基底相远离,从而使该多个碳纳米管阵列与该多个生长基底分离,并转移至该代替基底;通过升温使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间再次形成一液态介质;将该多个碳纳米管阵列在该代替基底表面滑动,使该多个碳纳米管阵列的侧面相互接触,通过范德华力结合,形成一拼接阵列;以及从该拼接阵列拉取该碳纳米管膜。

    真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法

    公开(公告)号:CN105150633A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510607299.1

    申请日:2015-09-21

    Inventor: 贺强

    CPC classification number: B32B17/061 B32B37/24 B32B2037/246

    Abstract: 本发明公开了真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法,其包括以下步骤:将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内;使真空室内的真空度至少达到7.9×10-6mbar;向真空室内充入放电介质气体,使真空室内的真空度达到2.8x10-3mbar~5.0x10-3mbar;在纯氩或氩氧气氛中,在玻璃基板形成陶瓷TiOX基层;在纯氩气氛中,采在陶瓷TiOX基层上形成底层阻挡保护层;在纯氩中气氛中,在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层;在纯氩气氛中,在银层上形成顶层阻挡保护层;在纯氩或氩氧气氛中,在顶层阻挡保护层上形成底层电介质层;在氮氩气氛中,在底层电介质层上形成顶层电介质层。

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