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公开(公告)号：CN105555790B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201480035813.2
申请日：2014-04-28
Applicant: 赢创德固赛有限公司
IPC: C07F5/00 , C23C18/12 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/288 , C07F5/00 , C23C16/407 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C18/1216 , C23C18/14 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02623 , H01L21/02628 , H01L21/02664
Abstract: 本发明涉及能够通过将至少一种醇化铟化合物溶解在至少一种溶剂中而制备的液体制剂，其中该醇化铟化合物可以通过使如下物质反应而制备：三卤化铟InX3，其中X=F、Cl、Br、I，和式R'2NH的仲胺，其中R'=烷基，与所述三卤化铟的摩尔比为8:1至20:1，在通式ROH的醇的存在下，其中R=烷基；本发明还涉及其制备方法、其用于制备含氧化铟的层或者（半）导体层的用途以及使用本发明的制剂制备含氧化铟的层的方法。
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公开(公告)号：CN108291301A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068576.9
申请日：2016-11-24
Applicant: 优美科股份公司及两合公司
CPC classification number: C23C16/407 , C07F5/00 , C23C16/301 , C23C16/4481 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/16 , C30B35/007
Abstract: 本发明涉及用于通过金属有机气相沉积制备含铟层的方法，其中所述含铟层在反应室中在基板上生成，其中所述铟以具有式InR3的含铟前体化合物的形式递送到工艺，其中基团R彼此独立地选自具有1至6个C原子的烷基基团，其特征在于含铟前体化合物的递送以溶液形式发生，所述溶液包含溶剂和溶于其中的含铟前体化合物，其中所述溶剂具有至少一种具有1至8个碳原子的烃。本发明还涉及一种溶液，该溶液由下列组成：式InR3的化合物，其中R彼此独立地选自具有1至6个C原子的烷基基团，和至少一种具有1至8个碳原子的烃，所述溶液用于通过金属有机气相沉积制备含铟层的用途，以及用于执行所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN103958731B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201280059123.1
申请日：2012-09-13
Applicant: 阿科玛股份有限公司
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/402 , C03C17/245 , C03C2217/213 , C03C2217/23 , C03C2218/1525 , C07F7/0805 , C07F7/0838 , C07F7/12 , C07F7/1804 , C23C16/0209 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/453 , G02B1/10 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了在一个基底(例如，玻璃)上形成一个或多个含氧化硅的层的方法，通过加热一个基底，蒸发至少一种前体以便形成一个蒸发的前体流，该前体包括一种具有大于两个碳原子的烷基基团的单烷基硅烷，并且使该加热的基底的表面与该蒸发的前体流在约大气压力下进行接触以便将一个或多个含氧化硅的层沉积在该基底的表面上。本发明对于在线浮法玻璃过程中将一个防晕光的涂层施加到玻璃上是特别有用的。
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公开(公告)号：CN106103456A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014038.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 株式会社Eugene科技材料
IPC: C07F7/30 , C07C211/14 , C23C14/26
CPC classification number: H01L21/02205 , C07F7/30 , C23C16/28 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/407 , C23C16/45553 , H01L21/02112 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 公开了权利要求1中所述的、由化学式1，即表示的有机锗胺化合物，和使用该化合物作为前体的膜形成方法。当根据本发明的化合物被用作前体时，能够有效地通过沉积形成氧化锗膜、氮化锗膜、金属锗氧化物膜、金属锗氮化物膜等等。
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公开(公告)号：CN103508406B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210219726.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: C23C14/086 , C23C16/407 , H01L21/02554 , H01L21/02576 , H01L21/02628
Abstract: 本发明提供一种AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件，属于透明导电薄膜技术领域。该AZO（铝掺杂氧化锌）薄膜，其形成于衬底之上，所述AZO薄膜的铝掺杂浓度在薄膜厚度方向上逐渐递增。该制备方法中使用溶胶?凝胶法制备形成该AZO薄膜。该MEMS（微机电系统）器件使用该AZO薄膜并在该AZO薄膜之上化学气相沉积成膜形成复合薄膜层。该AZO薄膜导电性能好，且能与复合薄膜层晶格匹配良好，热膨胀也相匹配，并且AZO薄膜成本低、无毒、无污染、制备简单。
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公开(公告)号：CN103866276B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210532025.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/407 , C23C16/45536
Abstract: 本发明公开一种原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积，形成N?X?N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积，后氧源沉积；所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积，后包含III主族元素施主掺杂源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主?受主的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变。
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公开(公告)号：CN105779971A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610068614.2
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 , 嘉兴科民电子设备技术有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/02
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/0263 , C23C16/407
Abstract: 本发明提供了一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，包括如下步骤：等离子体增强原子层沉积设备中通入含锌源气体和含氧源气体，在所述等离子体增强原子层沉积设备反应腔中的衬底表面生长氧化锌薄膜；所述的含锌源气体和含氧源气体是以脉冲方式交替通入所述反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹扫所述反应腔；上述含锌源气体、惰性气体以及含氧源气体的通入，经过若干次循环，逐层生长氧化锌薄膜；其中，在所述反应腔中预先通入含氧源气体并进行等离子增强起辉来对衬底表面预先处理，以对衬底表面进行羟基修饰，从而填补了衬底表面的缺陷。本发明仅对制备过程中的工艺进行控制，而无需掺杂就能在较大尺寸的衬底表面制备p型氧化锌薄膜。
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公开(公告)号：CN103180962B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180049519.3
申请日：2011-08-10
Applicant: 第一太阳能有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , C03C17/2453 , C03C17/3417 , C03C2217/232 , C03C2217/94 , C23C14/086 , C23C14/5806 , C23C16/407 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/1828 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造光伏装置的方法包括同时进行使透明导电氧化物层从基本上非晶态转变为基本上结晶态的步骤和形成一个或多个半导体层的步骤。
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公开(公告)号：CN103180491B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201080067947.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 叶志镇
CPC classification number: H01L21/02565 , C23C16/407 , C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/227
Abstract: 本发明公开了一种p型ZnO基材料的制备方法，该方法在金属有机化学气相沉积设备系统中进行，该方法将衬底表面清洗后放入金属有机化学气相沉积系统的生长室中，生长室抽真空至10－3～10－4Pa，加热衬底至200～700℃，输入有机锌源、有机钠源和氧气，在衬底上沉积p型ZnO基材料；Na掺杂能够大大提高ZnO基材料中的空穴浓度以及p型稳定性，采用Na掺杂技术结合MOCVD设备，可制备具有良好晶体质量和优良电学、光学性能的p型ZnO基材料；本发明采用环戊二烯基钠等类似有机物作为钠掺杂的金属有机源，可实现工业化生产Na掺杂p型ZnO基材料应用。
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公开(公告)号：CN105246987A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480014358.8
申请日：2014-03-13
Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
CPC classification number: C09D5/32 , C04B35/52 , C09D1/00 , C09D5/004 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/40 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/407 , F24S70/20 , F24S70/30 , Y02E10/40
Abstract: 本发明涉及一种涂层，所述涂层具有特定的吸收来自太阳光波长光谱的电磁辐射的性质，本发明还涉及制备所述涂层的方法和其应用。所述涂层是由在基底表面上的层形成，或由在所述基底表面上形成的反射层的表面上的层形成。碳纳米管存在于所述层中。所述层的每单位面积或体积中存在的碳纳米管的比例和/或层厚度选择为，使得所述碳纳米管以预先设定的比例吸收来自太阳光波长光谱的电磁辐射且来自黑辐射体在大于50℃温度发出的波长光谱的电磁辐射的比例非常小。
