公开(公告)号：CN103515260A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310261023.3

申请日：2013-06-26

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： 拉尔夫·奥特伦巴 ,  约瑟夫·赫格劳尔 ,  克劳斯·席斯 ,  克萨韦尔·施勒格尔 ,  于尔根·施雷德尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45499 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48618 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48638 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48718 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48738 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48818 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48838 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2224/92136 ,  H01L2224/92137 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0498 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/0474 ,  H01L2924/0475 ,  H01L2924/0478 ,  H01L2924/0476 ,  H01L2924/0454 ,  H01L2924/0455 ,  H01L2924/0458 ,  H01L2924/0456 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0509 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明涉及封装内封装及其形成方法。根据本发明的实施方式，半导体器件包括具有多个引线和小片焊盘的引线框、以及被连接到所述引线框的小片焊盘的半导体模块。所述半导体模块包括配置在第一密封剂中的第一半导体芯片。所述半导体模块具有耦接到所述第一半导体芯片的多个接触垫。所述半导体器件进一步包括将所述多个接触垫与多个引线耦接的多个互连件、以及被配置在所述半导体模块和引线框的第二密封剂。

公开(公告)号：CN103137590A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210505864.X

申请日：2012-11-30

Applicant: 迈克纳斯公司

Inventor： C·维尔贝茨 ,  T·科莱特 ,  H-P·弗雷里希斯

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/01 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4828 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0373 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014

Abstract: 本发明涉及一种固定装置，其包括：一具有集成电路的半导体本体；一构造在所述半导体本体的表面上的介电钝化层；一构造在所述钝化层下方的带状导体；一构造在所述带状导体下方的氧化物层；一连接介质，所述连接介质在一构造在所述钝化层上方的构件与所述半导体本体之间形成力锁合的连接，其中，一透穿所述钝化层和所述氧化物层的成型部具有一底部面并且在所述底部面上构造一导电层并且所述连接介质在所述导电层与所述构件之间构造电连接。

公开(公告)号：CN102893419A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180006105.2

申请日：2011-10-29

Applicant: 铼钻科技股份有限公司

Inventor： 宋健民 ,  甘明吉 ,  胡绍中

IPC: H01L33/64 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/46 ,  H01L33/641 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/045 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种应力被调节的半导体装置及其相关方法。在一种实施方式中，一应力被调节的半导体装置例如可以包括：一半导体层；一应力调节界面层，其包括一形成于半导体层上的碳层；以及一散热器，其耦合至相对于半导体层的碳层。该应力调节界面层可用来降低在半导体层及散热器之间的热膨胀系数差异至小于或等于约10ppm/℃。

公开(公告)号：CN103887183B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201210562498.1

申请日：2012-12-21

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 贠伦刚 ,  黄安 ,  田鹏博

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

Abstract: 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。

公开(公告)号：CN103175881A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210470822.7

申请日：2012-11-20

Applicant: 迈克纳斯公司

Inventor： C·维尔贝茨 ,  T·科莱特 ,  H-P·弗雷里希斯

IPC: G01N27/403

CPC classification number: H01L29/66 ,  G01N27/4143 ,  G01N27/4148 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32112 ,  H01L2224/3213 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0476 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 基于集成的场效应晶体管的半导体气体传感器具有半导体主体和通过间隙与通道区域分离的气体敏感的控制电极且构造为悬浮栅场效应晶体管，或者控制电极设置为具有间隙的电容器的第一板且电容器的第二板与电容性控制构造的场效应晶体管的栅极连接，控制电极具有半导体载体层和气体敏感层，半导体载体层具有增附剂层且气体敏感层位于增附剂层上，控制电极与参考电势连接，气体敏感层的表面朝着通道区域或第二板，在半导体主体表面上设有连接区，支撑区设置在连接区内，连接区具有第一连接区域和第二连接区域，第一连接区域借助第一连接剂与控制电极电连接和力锁合连接，第二连接区域借助第二连接剂与控制电极至少力锁合连接。

公开(公告)号：CN1113412C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98107066.3

申请日：1998-02-21

Applicant: 法梭半导体

Inventor： 铃木功一 ,  佐藤定信 ,  山下由美子

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48738 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48638 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012

Abstract: 用于半导体器件的由第一和第二金属层组成的金属合金中，所述第一金属层由铜和铝组成，其中铜大约占0.1-10重量百分比，其余部分基本上为铝，而第二金属层由钯和金组成，其中钯大约占0.5-5重量百分比，其余部分基本上为金。

公开(公告)号：CN108735699A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810342630.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 武直矢

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/0483 ,  H01L2924/386

Abstract: 本发明提供一种抑制接合焊盘间的短路的技术。半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面。所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。

公开(公告)号：CN104617067A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410613709.9

申请日：2014-11-04

Applicant: 开益禧株式会社

Inventor： 黄圭孝 ,  李锺洪 ,  崔甲秀 ,  田且秀 ,  朴进相 ,  裵相甫 ,  朴用鈱 ,  安星桭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49531 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 提供了一种半导体器件及其接合结构，其中不与半导体裸片或引线框架形成金属间化合物，从而改善电特性和机械特性以及可润湿性，且抑制裸片接合材料的聚集。所述半导体器件包括：半导体裸片、形成在半导体裸片的表面上的阻挡层、形成在阻挡层上的第一金属层、形成在第一金属层上的中间金属层，以及形成在中间金属层上的第二金属层。这里，第一金属层和第二金属层具有第一熔化温度，中间金属层具有低于第一熔化温度的第二熔化温度。

公开(公告)号：CN102292280A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005182.1

申请日：2010-01-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 鲁本·B·蒙特兹 ,  亚历克斯·P·帕马塔特

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83481 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

Abstract: 在一个实施例中，一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中，包括金属的层包围半导体器件，其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上，形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力)，以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料，其中，机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下，机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。

公开(公告)号：CN1197291A

公开(公告)日：1998-10-28

申请号：CN98107066.3

申请日：1998-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 铃木功一 ,  佐藤定信 ,  山下由美子

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48738 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48638 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012

Abstract: 用于半导体器件的由第一和第二金属层组成的金属合金中,所述第一金属层由铜和铝组成,其中铜大约占0.1—10重量百分比,其余部分基本上为铝,而第二金属层由钯和金组成,其中钯大约占0.5—5重量百分比,其余部分基本上为金。