Invention Publication
CN102292280A 与金属锗硅材料接合的衬底
失效 - 权利终止
- Patent Title: 与金属锗硅材料接合的衬底
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Application No.: CN201080005182.1Application Date: 2010-01-13
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Publication No.: CN102292280APublication Date: 2011-12-21
- Inventor: 鲁本·B·蒙特兹 , 亚历克斯·P·帕马塔特
- Applicant: 飞思卡尔半导体公司
- Applicant Address: 美国得克萨斯
- Assignee: 飞思卡尔半导体公司
- Current Assignee: 飞思卡尔半导体公司
- Current Assignee Address: 美国得克萨斯
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 李宝泉; 周亚荣
- Priority: 12/356,939 2009.01.21 US
- International Application: PCT/US2010/020847 2010.01.13
- International Announcement: WO2010/090798 EN 2010.08.12
- Date entered country: 2011-07-21
- Main IPC: B81B7/00
- IPC: B81B7/00 ; B81C1/00

Abstract:
在一个实施例中,一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中,包括金属的层包围半导体器件,其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上,形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力),以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料,其中,机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下,机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。
Public/Granted literature
- CN102292280B 与金属锗硅材料接合的衬底 Public/Granted day:2015-09-23
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