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公开(公告)号：CN103582933A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027691.3
申请日：2012-05-03
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03845 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941
摘要： 一些实施例包含形成穿过半导体衬底的互连的方法。开口可经形成以部分地延伸穿过半导体衬底，且互连的部分可形成于所述开口内。另一开口可经形成以从所述衬底的第二侧延伸到所述互连的第一部分，且所述互连的另一部分可形成于此开口内。一些实施例包含半导体构造，其具有：穿透衬底互连的第一部分，其从所述衬底的第一侧部分地延伸穿过半导体衬底；及所述穿透衬底互连的第二部分，其从所述衬底的第二侧延伸且具有全部延伸到所述互连的所述第一部分的多个单独导电指状部。
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公开(公告)号：CN1305224A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00130967.6
申请日：2000-11-21
申请人： 摩托罗拉公司
发明人： 斯科特·K·鲍兹德尔 , 托马斯·S·科巴亚西
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/50
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05093 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
摘要： 提供耐在用探针探测或封装操作期间会施加的外力的复合焊盘。复合焊盘包括在半导体衬底(100)上形成的非自钝化导电焊盘(134)。然后在导电焊盘上形成绝缘层(136)。去除部分绝缘层使该层有穿孔而露出一部分导电焊盘。留下的部分形成叠置在焊盘上的支撑结构(138)。然后在焊盘结构上面形成自钝化导电封顶层(204),在这场合下绝缘层中的穿孔可以供封顶层和在下面的焊盘露出部分之间电接触用。支撑结构(138)构成保护封顶层和焊盘之间界面的机械阻挡层。
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公开(公告)号：CN101114592B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710138312.9
申请日：2007-07-27
申请人： 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31138 , H01L21/76898 , H01L2224/02372 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/0494
摘要： 本发明提供一种生产效率高且可靠性和合格品率高的半导体装置及其制造方法。进行半导体衬底(1)的背面磨削(背研磨)，把半导体装置减薄。然后在该阶段不进行把由背面磨削产生的损伤层(7)除去而有选择地在半导体衬底的背面形成抗蚀剂层(8)。然后，以抗蚀剂层(8)作为掩模蚀刻半导体衬底(1)，形成通路孔(9)。然后保持将半导体衬底(1)配置在该蚀刻工序所利用的蚀刻装置内的状态，把形成通路孔(9)和除去抗蚀剂层(8)连续进行。这样，把蚀刻工序和其后的灰化工序以一个处理装置连续进行。然后，把半导体衬底(1)背面的损伤层(7)除去和把通路孔(9)内壁面平坦化的工序也以与上述灰化工序同一装置连续进行。
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公开(公告)号：CN100339986C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03120225.X
申请日：2003-03-07
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012
摘要： 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106558506A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610649174.X
申请日：2016-08-10
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 矢岛明
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/14 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/0508 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05664 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14051 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/14517 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17051 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/07025 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01022 , H01L2924/04941 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/01073 , H01L2924/0496 , H01L2924/01046 , H01L2924/01044 , H01L2924/01078 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L24/10 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L2224/1701 , H01L2224/1703 , H01L2224/171 , H01L2224/1712
摘要： 本发明提供一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，连接半导体芯片(CHP)和布线基板(WB)的凸块电极(BE2)包括将其周围用绝缘膜(17)包围的第1部分和从绝缘膜(17)露出的第2部分。能够在增加凸块电极(BE2)的高度的同时，减小凸块电极(BE2)的宽度，所以能够增加与相邻的凸块电极(BE2)的距离，密封材料(UF)的填充性提高。
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公开(公告)号：CN101814447B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010149435.4
申请日：2010-02-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/314
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48491 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/83801 , H01L2224/85205 , H01L2224/85375 , H01L2224/85447 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/078 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/2076 , Y10T29/49128 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49169 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83205 , H01L2924/01006
摘要： 本发明涉及一种形成接合的方法，包括提供主体(1，1’)，该主体(1，1’)包括设有无机介电保护层(13，13’)的金属表面(12a，12a’)。保护层(13，13’)至少覆盖金属表面(12a，12a’)的一个表面区(12b，12b’)，其中该金属表面(12a，12a’)将被导电接合到接触导体(30，30’)。为了形成接合，表面区(12b，12b’)之上的所提供的接触导体(30，30’)的部分被压到保护层(13，13’)和主体(1，1’)上，以便破坏表面区域(12b，12b’)之上的保护层(13，13’)，从而在金属表面(12a，12a’)和接触导体(30，30’)之间形成导电接合。
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公开(公告)号：CN101814447A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010149435.4
申请日：2010-02-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/314
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/48491 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/83801 , H01L2224/85205 , H01L2224/85375 , H01L2224/85447 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/078 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/2076 , Y10T29/49128 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49169 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83205 , H01L2924/01006
摘要： 本发明涉及一种形成接合的方法，包括提供主体(1，1’)，该主体(1，1’)包括设有无机介电保护层(13，13’)的金属表面(12a，12a’)。保护层(13，13’)至少覆盖金属表面(12a，12a’)的一个表面区(12b，12b’)，其中该金属表面(12a，12a’)将被导电接合到接触导体(30，30’)。为了形成接合，表面区(12b，12b’)之上的所提供的接触导体(30，30’)的部分被压到保护层(13，13’)和主体(1，1’)上，以便破坏表面区域(12b，12b’)之上的保护层(13，13’)，从而在金属表面(12a，12a’)和接触导体(30，30’)之间形成导电接合。
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公开(公告)号：CN100517668C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510073527.8
申请日：2005-06-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02125 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05076 , H01L2224/05083 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05576 , H01L2224/05624 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01077 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及一种接合垫结构。集成电路晶片的接合垫结构中，有一应力缓冲层介于接合垫层与最上层内连线层的金属层之间，以避免晶圆的探针测试与封装撞击对接合垫所造成的破坏。该应力缓冲层为一导电材料，其杨氏模数、硬度、强度或坚韧度大于最上层内连线层的金属层或该接合垫层的杨氏模数、硬度、强度或坚韧度。为改善粘合与接合的强度，可将应力缓冲层的底部修改为各种不同形式，如嵌于保护层的环状、网状或连锁栅格结构，在应力缓冲层中可以有多个孔洞，其由接合垫层将之填满。本发明所述接合垫结构，提供较佳的机械完整性。可避免应力造成的失效与接垫剥离的问题，而大大增加接合的可靠度。
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公开(公告)号：CN1444272A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120225.X
申请日：2003-03-07
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012
摘要： 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108364926A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711076350.6
申请日：2014-05-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/482 , H01L23/532 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/60 , H05K1/18
CPC分类号： H01L23/5381 , H01L23/4821 , H01L23/53238 , H01L23/538 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/1703 , H01L2224/171 , H01L2224/2746 , H01L2224/32225 , H01L2224/3303 , H01L2224/33505 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81455 , H01L2224/81463 , H01L2224/81466 , H01L2224/8147 , H01L2224/81472 , H01L2224/81479 , H01L2224/81481 , H01L2224/81484 , H01L2224/81487 , H01L2224/81815 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K1/185 , H05K3/3436 , H05K2201/10363 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/04941 , H01L2924/01074 , H01L2924/01072 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/0481 , H01L2924/0496 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本公开的实施例目的在于在集成电路组件中的桥互连的分层互连结构的技术和配置。在一个实施例中，装置可包括衬底和嵌在衬底中的桥。桥可配置成在两个管芯之间传送电信号。与桥电气耦合的互连结构可包括：过孔结构，其包括第一导电材料；阻挡层，其包括设置在过孔结构上的第二导电材料；以及可焊接材料，其包括设置在阻挡层上的第三导电材料。第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料可具有不同的化学成分。可描述和/或主张其它实施例。
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