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1.

发明授权
半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构有权

公开(公告)号：CN106033752B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510120701.3

申请日：2015-03-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 , 陈家庆 , 丁一权

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。

2.

发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN106206337A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510854778.3

申请日：2015-11-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 渡边慎也 , 南部俊弘

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/522

CPC分类号： G01R31/2856 , H01L21/76898 , H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/5384 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L25/0657 , H01L27/11529 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05012 , H01L2224/05017 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05096 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05569 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0601 , H01L2224/06181 , H01L2224/10135 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/27334 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81139 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/01404 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/05147 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/83 , H01L24/83 , H01L23/522

摘要： 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法，使具有贯通电极的半导体芯片的配线布局自由度提高。在半导体基板(30)设置着贯通电极(66)及多层配线(MH1)，在多层配线(MH1)设置着最下层连接配线(54)、下层连接配线(57)、上层连接配线(59)及最上层连接配线(61)，将贯通电极(66)与最下层连接配线(54)接合，以避开贯通电极(66)的正上方的方式配置通孔(60)。

3.

发明公开
半导体装置以及半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN103930990A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280055469.4

申请日：2012-12-14

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 西泽龙男 , 多田慎司 , 木下庆人 , 池田良成 , 望月英司

IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/60 , H01L25/18

CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/76877 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/13011 , H01L2224/13015 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16235 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/81898 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置，能以较好的生产性来制造使植入基板与半导体搭载基板的半导体元件经由植入引脚相接合并电连接的半导体装置。在该半导体装置中，经由压入植入引脚(20)的另一端的筒状端子(10)，植入引脚(20)与半导体搭载基板的半导体元件(8)及/或电路图案(5)相接合。并且，植入引脚(20)的压入筒状端子(10)的压入深度L2可以调整。由此，使得处于被压入筒状端子(10)的状态的植入引脚(20)与筒状端子(10)的总长度与半导体搭载基板上的半导体元件(8)及/或电路图案(5)和植入基板(30)之间的距离相匹配。

4.

发明公开
覆晶封装结构及其形成方法无效

公开(公告)号：CN103000599A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210034268.8

申请日：2012-02-09

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 刘安鸿 , 刘宏信 , 杨佳达 , 黄祺家 , 李宜璋 , 黄祥铭

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 , H01L23/49894 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/13021 , H01L2224/14136 , H01L2224/73203 , H01L2224/81139 , H01L2224/92125

摘要： 本发明关于一种覆晶封装结构，包含一基板、一芯片、一凸块结构以及一阻焊层。基板上具有一电路层，芯片具有一中央区域及位于中央区域两侧的二边缘区域。凸块结构面对基板设置于芯片的中央区域，阻焊层设置于基板，且部分覆盖电路层。当芯片设置于基板上时，芯片通过凸块结构与基板电性连接，且阻焊层适可与芯片的二边缘区域接触，以与凸块结构共同支撑芯片。

5.

发明公开
包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构有权

公开(公告)号：CN102187458A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141580.3

申请日：2009-08-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 欧文·R·费伊 , 沃伦·M·法恩沃思 , 戴维·R·亨布里

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/05017 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05551 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05611 , H01L2224/114 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1161 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/11823 , H01L2224/11825 , H01L2224/11826 , H01L2224/11831 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13687 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73257 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345 , H01L2224/81365 , H01L2224/81815 , H01L2224/81898 , H01L2224/831 , H01L2224/83141 , H01L2224/83193 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012

摘要： 本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。

6.

发明公开
堆叠及对位多个集成电路的方法及系统有权

公开(公告)号：CN101853778A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010106642.1

申请日：2010-01-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卿恺明

IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/77

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02126 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16059 , H01L2224/16147 , H01L2224/811 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 一种堆叠及对位多个集成电路的方法及系统。该方法包含提供一具有至少一漏斗形插槽的第一集成电路，提供一第二集成电路，将第二集成电路至少一突出部与该至少一漏斗形插槽进行对位，以及将该第一集成电路与该第二集成电路进行结合。该系统包含具有至少一漏斗形插槽的第一集成电路，金属化扩散阻障层配置于该漏斗形插槽的内部，以及一第二集成电路，其中该至少一漏斗形插槽用以承接该第二集成电路的一突出部。由于插槽具有漏斗形状允许该上芯片或晶片及该下芯片或晶片进行主动对位，符合所需的精确度，因此降低该上及下芯片或晶片及受损的风险以及该堆叠及结合程序的所有成本。