-
公开(公告)号：CN106206505A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510854664.9
申请日：2015-11-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05085 , H01L2224/05166 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/10135 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/119 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/14181 , H01L2224/16058 , H01L2224/16146 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/034 , H01L2224/113 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/14 , H01L2224/29 , H01L2224/81
摘要： 本发明的实施方式提供一种能够谋求厚度方向上的小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备第1基板、铝垫、第1镍电极、第2基板、第2镍电极以及连接层。第1基板的内部具有配线。铝垫设置在第1基板的表层内，并与配线连接。第1镍电极是一部分埋设在第1基板中并与铝垫连接，并且顶面从第1基板的表面突出。第2基板积层于第1基板。第2镍电极是一部分埋设在第2基板中，并且顶面从第2基板的第1基板侧的表面突出。连接层由含锡的合金形成，将第1镍电极及第2镍电极之间连接。
-
公开(公告)号：CN104064513B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310365786.2
申请日：2013-08-21
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L21/76873 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05541 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1162 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13155 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供能够抑制在贯通电极的内部产生孔隙的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，形成贯通在背面设置有导电性膜的基板的正面背面并到达导电性膜的贯通孔。在贯通孔的内壁面、导电性膜的从贯通孔露出的面及基板的正面形成含铜的籽膜。通过电镀法使含铜的第1金属层从贯通孔的一个端面朝向另一个端面自下而上生长，填埋贯通孔直到从另一个端面起残留小于等于贯通孔半径的深度为止。通过电镀法从直到中途部为止被填埋了的贯通孔的内周面开始使含镍的第2金属层共形生长而从另一个端面突出。在第2金属层的顶面形成第3金属层，并以第3金属层为掩模对籽膜进行蚀刻，使第3金属层热熔融而成形。
-
公开(公告)号：CN102543893A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010625100.5
申请日：2010-12-17
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L24/81
摘要： 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。
-
公开(公告)号：CN105990292A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510849120.3
申请日：2015-11-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第1半导体基板、第2半导体基板、第1金属层、第2金属层、第3金属层、第1合金层、以及第2合金层。第1半导体基板与第2半导体基板相互对向。第1金属层设置在第1半导体基板的第2半导体基板侧。第2金属层设置在第2半导体基板的第1半导体基板侧。第3金属层配置在第1金属层与第2金属层之间。第1合金层配置在第1金属层与第3金属层之间，且包含第1金属层的成分与第3金属层的成分。第2合金层配置在第2金属层与第3金属层之间，且包含第2金属层的成分与第3金属层的成分。第1及第2金属层的至少一方为中央部相比其周缘部而向远离第3金属层的方向凹陷。
-
公开(公告)号：CN102543893B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010625100.5
申请日：2010-12-17
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L24/81
摘要： 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。
-
公开(公告)号：CN104064513A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310365786.2
申请日：2013-08-21
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L21/76873 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05541 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1162 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13155 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/13
摘要： 本发明提供能够抑制在贯通电极的内部产生孔隙的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，形成贯通在背面设置有导电性膜的基板的正面背面并到达导电性膜的贯通孔。在贯通孔的内壁面、导电性膜的从贯通孔露出的面及基板的正面形成含铜的籽膜。通过电镀法使含铜的第1金属层从贯通孔的一个端面朝向另一个端面自下而上生长，填埋贯通孔直到从另一个端面起残留小于等于贯通孔半径的深度为止。通过电镀法从直到中途部为止被填埋了的贯通孔的内周面开始使含镍的第2金属层共形生长而从另一个端面突出。在第2金属层的顶面形成第3金属层，并以第3金属层为掩模对籽膜进行蚀刻，使第3金属层热熔融而成形。
-
公开(公告)号：CN106206501A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510848901.0
申请日：2015-11-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/76888 , H01L23/481 , H01L2224/11
摘要： 本发明的实施方式提供一种能够减少形成着空腔的金属部件的裂痕扩展的半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置具备半导体基板、金属部件、及金属氧化膜。半导体基板形成着从一面贯通到对向的另一面的贯通孔。金属部件设置在贯通孔的内侧，且在内部形成着空腔。金属氧化膜形成在金属部件的空腔侧的面上。
-
公开(公告)号：CN104821308A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510023552.9
申请日：2015-01-16
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2224/0557 , H01L2224/13009
摘要： 根据本实施方式，可提供一种半导体装置。半导体装置包括贯通孔、铜层、以及金属部。贯通孔贯通半导体基板的正面及背面。所述铜层形成在所述贯通孔的内部。所述金属部是由铜以外的金属形成在比所述铜层更靠所述贯通孔的孔芯侧，并且内包空腔。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.024 秒)
