半导体装置及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116013888A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211062043.3

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明提供一种能够可靠性高地降低开关损耗的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备:绝缘电路基板(1);功率半导体元件,其搭载在绝缘电路基板(1)上;平板状的第一端子(81),其与功率半导体元件电连接,所述第一端子(81)具有第一主表面;第二端子(82),其与功率半导体元件电连接,所述第二端子(82)具有与第一端子(81)的第一主表面相向的第二主表面;绝缘片(83),其配置在第一主表面与第二主表面之间;以及导电膜(84、85),其配置在绝缘片(83)的第一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106531693A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610560742.9

    申请日:2016-07-15

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。为了使半导体装置高耐压化,优选扩展电极端子与其它金属部分的爬电距离和空间距离。所述半导体装置具备半导体元件;壳体部,其收纳半导体元件;以及外部端子,其设置于壳体部的正面,在壳体部的正面形成有从正面突出的壁部和设置于被壁部包围的区域,且相对于正面凹陷的凹部,外部端子配置于凹部的底面。

    半导体模块
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106449608A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610505752.2

    申请日:2016-06-30

    Abstract: 本发明的半导体模块抑制由宽带隙半导体构成的开关元件的劣化。半导体模块(100)中,将第2半导体芯片(420)(二极管)配置得比第1半导体芯片(410)(MOSFET)更靠层叠基板(310)侧。由此,在使第1半导体芯片(410)(MOSFET)的栅极电极的控制信号截止时,从源极端子(320)向漏极板(200)施加电压时的电流主要通电至第2半导体芯片(420)(二极管)。

    半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108735692B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201810172393.2

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备:由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN116259594A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211327562.8

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本发明提供抑制与半导体装置隔着导体层的连接相伴的质量的降低的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体模块具备导体层、导体层上的绝缘板、绝缘板上的电路图案层以及电路图案层上的半导体芯片。导体层具有第一贯通孔。绝缘板在与第一贯通孔相对的部位具有开口尺寸比第一贯通孔大的第二贯通孔。电路图案层在与第二贯通孔相对的部位具有开口尺寸比第二贯通孔大的开口部。在与冷却体连接时,在导体层与冷却体之间设置热传导介质,通过插通于开口部、第二贯通孔以及第一贯通孔而与螺纹安装孔螺合的螺纹部件,向冷却体侧按压第二贯通孔内的、导体层的第一贯通孔的周围。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113053843A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202011355736.2

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具有能够降低电感的连接机构。电容器具有包括电容器元件的壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于第一连接端子与第二连接端子之间的第二绝缘片,第一连接端子、第二绝缘片和第二连接端子从壳体向外部延伸出。半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘片和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部。该第一功率端子具有与第一连接端子导电连接的第一接合区,该第二功率端子具有与第二连接端子导电连接的第二接合区,该第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。

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