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公开(公告)号：CN108735692B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810172393.2
申请日：2018-03-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/28
Abstract: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备：由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。
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公开(公告)号：CN107204292A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710096125.2
申请日：2017-02-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/04 , H01L23/043 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4817 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/1715 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L23/3107 , H01L21/56 , H01L23/043
Abstract: 本申请提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能够缓和由热膨胀率之差导致的集中于树脂壳体内表面的角部附近的应力，满足层叠基板与树脂壳体之间的绝缘性。上述半导体装置具有将树脂壳体(6)与层叠组件组合而成的构成，上述层叠组件具有：半导体元件(1)；搭载有上述半导体元件(1)的层叠基板(3)；以及搭载有上述层叠基板(3)的金属基板(4)。在树脂壳体(6)中，在角部设有切槽(6a)。切槽(6a)的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。
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公开(公告)号：CN104170014A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380014327.8
申请日：2013-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/26 , C23C16/36 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/8408
Abstract: 本发明涉及磁记录介质的制造方法，提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层，且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，该制造方法的特征在于，依次包括如下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成，更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
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公开(公告)号：CN116013859A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211175188.4
申请日：2022-09-26
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其实现可靠性高的半导体装置。半导体模块(10)(半导体装置)包括壳体(11)、层叠体(16)以及梁部(17)。壳体为框状，在其一边具有凹部(11a)。层叠体具有依次层叠有端子(13)、绝缘片(14)以及端子(15)的结构，并配置于壳体的凹部。梁部(17)固着于壳体的凹部，将配置于该凹部的层叠体固定。壳体、层叠体以及梁部(17)分别分开准备、并组装。由此，避免如将层叠体嵌件成型的情况那样绝缘片(14)与在成型时成为较高温度的壳体树脂材料接触，抑制绝缘片(14)的劣化、以及由此引起的端子(13)与端子(15)之间的绝缘不良，并提高半导体模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN109801889A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811140123.X
申请日：2018-09-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种小型且低电感、且能够降低因半导体元件的发热引起的控制电阻的电阻值的变动的电力用半导体装置。该电力用半导体装置具备：第一导电性图案层(11_1)；半导体元件(Q1～Q6)，与第一导电性图案层(11_1)的上表面分别接合；第二导电性图案层(11_2a)，其与第一导电性图案层(11_1)相分离；控制端子(53)，其与第二导电性图案层(11_2a)接合；控制电阻(20)，其与第二导电性图案层(11_2a)的上表面接合；控制电阻引脚(21)，其与控制电阻(20)的上表面接合；以及布线基板(4)，其具有将半导体元件(Q1～Q6)与控制电阻引脚(21)之间电连接的控制布线图案层(41)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104685565A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051757.7
申请日：2013-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/72 , G11B5/8408
Abstract: 本发明的用于热辅助记录方式的磁记录介质具有在非磁性基板上的磁记录层和在所述磁记录层的上部的保护层。所述保护层包含：所述磁记录层的上部的第一下部保护层、所述第一下部保护层上的第一上部保护层、以及所述第一上部保护层上的第二保护层，所述第一下部保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分，所述第一上部保护层是由所述第一下部保护层的材料的氧化物构成的层。
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公开(公告)号：CN117637640A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310790766.3
申请日：2023-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 谷口克己
IPC: H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够对功率半导体元件的发热高效地进行散热，并且能够抑制从树脂绝缘基板的散热基底板或导体箔产生迁移。具备：树脂绝缘基板(1)，其具有第一树脂绝缘层(10)、设置于第一树脂绝缘层(10)的一个主面的导体基底(12)以及设置于第一树脂绝缘层(10)的另一个主面的导体箔(11a～11c)；功率半导体元件(3)，其与导体箔(11b)接合；壳体(8)，其包围树脂绝缘基板(1)的外周；密封树脂(7)，其设置于壳体(8)的内侧，用于密封功率半导体元件(3)；以及第二树脂绝缘层(6)，其设置于第一树脂绝缘层(10)与密封树脂(7)之间，吸水率比密封树脂(7)的吸水率低。
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公开(公告)号：CN108735692A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810172393.2
申请日：2018-03-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/28
Abstract: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备：由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。
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公开(公告)号：CN104170014B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201380014327.8
申请日：2013-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/26 , C23C16/36 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/8408
Abstract: 本发明涉及磁记录介质的制造方法，提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层，且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，该制造方法的特征在于，依次包括如下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成，更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
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公开(公告)号：CN109801889B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811140123.X
申请日：2018-09-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种小型且低电感、且能够降低因半导体元件的发热引起的控制电阻的电阻值的变动的电力用半导体装置。该电力用半导体装置具备：第一导电性图案层(11_1)；半导体元件(Q1～Q6)，与第一导电性图案层(11_1)的上表面分别接合；第二导电性图案层(11_2a)，其与第一导电性图案层(11_1)相分离；控制端子(53)，其与第二导电性图案层(11_2a)接合；控制电阻(20)，其与第二导电性图案层(11_2a)的上表面接合；控制电阻引脚(21)，其与控制电阻(20)的上表面接合；以及布线基板(4)，其具有将半导体元件(Q1～Q6)与控制电阻引脚(21)之间电连接的控制布线图案层(41)。
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