半导体装置及半导体装置的制造方法

发明公开

CN107204292A 半导体装置及半导体装置的制造方法有权

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专利标题： 半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
申请号： CN201710096125.2

申请日： 2017-02-22
公开(公告)号： CN107204292A

公开(公告)日： 2017-09-26
发明人: 浅井龙彦 , 谷口克己
申请人： 富士电机株式会社
申请人地址： 日本神奈川县川崎市
专利权人： 富士电机株式会社
当前专利权人： 富士电机株式会社
当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
代理商 孙昌浩; 李盛泉
优先权： 2016-056246 20160318 JP
主分类号： H01L21/52
IPC分类号： H01L21/52 ; H01L21/56 ; H01L23/04 ; H01L23/043 ; H01L23/31

摘要：

本申请提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能够缓和由热膨胀率之差导致的集中于树脂壳体内表面的角部附近的应力，满足层叠基板与树脂壳体之间的绝缘性。上述半导体装置具有将树脂壳体(6)与层叠组件组合而成的构成，上述层叠组件具有：半导体元件(1)；搭载有上述半导体元件(1)的层叠基板(3)；以及搭载有上述层叠基板(3)的金属基板(4)。在树脂壳体(6)中，在角部设有切槽(6a)。切槽(6a)的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。

摘要（英）：

A semiconductor device has a configuration in which a stacked assembly and a resin case are combined. The stacked assembly includes a semiconductor element, a stacked substrate on which the semiconductor element is mounted, and a metal substrate on which the stacked substrate is mounted. In the resin case, a notch groove is provided at a corner portion for reducing a stress. At least one of a width and a length of the notch groove is 2 mm or more.

公开/授权文献

CN107204292B 半导体装置及半导体装置的制造方法公开/授权日：2021-09-14

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52	....半导体在容器中的安装