半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN107204292B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201710096125.2

    申请日:2017-02-22

    摘要: 本申请提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能够缓和由热膨胀率之差导致的集中于树脂壳体内表面的角部附近的应力,满足层叠基板与树脂壳体之间的绝缘性。上述半导体装置具有将树脂壳体(6)与层叠组件组合而成的构成,上述层叠组件具有:半导体元件(1);搭载有上述半导体元件(1)的层叠基板(3);以及搭载有上述层叠基板(3)的金属基板(4)。在树脂壳体(6)中,在角部设有切槽(6a)。切槽(6a)的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN107818963B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201710645699.0

    申请日:2017-08-01

    发明人: 浅井龙彦

    摘要: 本发明涉及减轻半导体元件上表面的应力,并且稳定地连接引线框架布线的半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置是在层叠组件组合了树脂壳(7)的装置,所述层叠组件具有半导体元件(1)、设置有电极图案(4)且搭载了半导体元件(1)的层叠基板(12)、将半导体元件(1)和电极图案(4)电连接的引线框架布线(6)、以及搭载了层叠基板(12)的金属基板(5)。引线框架布线(6)由接触到半导体元件(1)的接合部(6a)、接触到电极图案(4)的接合部(6b)、连接接合部(6a、6b)彼此的布线部(6c)构成,接合部(6a、6b)的宽度比布线部(6c)的宽度宽。