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公开(公告)号:CN104170014A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201380014327.8
申请日:2013-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/26 , C23C16/36 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/8408
Abstract: 本发明涉及磁记录介质的制造方法,提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中,该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层,且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下,该制造方法的特征在于,依次包括如下工序:1)保护层下层的成膜工序;2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序;3)保护层上层的成膜工序;4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成,更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
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公开(公告)号:CN104170014B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201380014327.8
申请日:2013-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/26 , C23C16/36 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/8408
Abstract: 本发明涉及磁记录介质的制造方法,提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中,该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层,且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下,该制造方法的特征在于,依次包括如下工序:1)保护层下层的成膜工序;2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序;3)保护层上层的成膜工序;4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成,更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
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