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公开(公告)号：CN103765512B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201280042926.6
申请日：2012-09-18
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G11B5/65 , B05D7/00 , B05D7/24 , C09D4/00 , C09D4/02 , C09D5/00 , C09D7/12 , G11B5/72 , G11B5/84
CPC分类号： C09D167/00 , C08F230/08 , C08K5/541 , C09D125/08 , G11B5/65 , G11B5/72 , G11B5/84 , G11B5/8404 , G11B5/8408 , C08L25/04 , C08L25/06 , C08L25/08 , C09D125/04
摘要： 本发明的课题是提供可以防止钴成分等磁性材料扩散至填充部(非磁性层)的形成硬盘用平坦化膜的组合物。作为解决本发明的课题的方法涉及一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在该被覆材料中含有相对于每1摩尔苯环为1～90摩尔%的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：选自具有来源于二乙烯基芳香族化合物的单元结构的均聚物和具有该单元结构的共聚物中的至少1种聚合物、或该聚合物与光聚合性化合物的混合物。光聚合性化合物为具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。聚合物为还包含加聚性化合物作为共聚成分的共聚物。一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性体上形成凹凸；第2工序，用形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸；第3工序，通过蚀刻来平坦化，使磁性体表面露出。
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公开(公告)号：CN104103292B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410116219.8
申请日：2014-03-26
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： G11B5/8408 , G11B5/85
摘要： 一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法。所述润滑层的形成包含：采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体。所述第1润滑剂的分子量低于所述第2润滑剂的分子量。所述第1润滑剂的极性高于所述第2润滑剂的极性。
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公开(公告)号：CN105229739A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201380075803.7
申请日：2013-11-14
申请人： 富士电机(马来西亚)有限公司
发明人： 永田德久
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： C23C16/50 , G11B5/8408
摘要： 本发明的目的是提供一种用于制造较小厚度的保护膜的方法，其使得有可能同时防止该保护膜劣化并保持抗腐蚀性。根据本发明的用于制造含碳保护膜的该方法包括：(a)通过等离子体CVD方法使用含有碳氢化合物气体的起始材料气体在衬底上形成碳材料膜的步骤；以及(b)通过使用从具有阳极和阴极的等离子体CVD设备中的含氮起始材料气体产生的等离子体来氮化该碳材料膜并形成含碳保护膜的步骤。在步骤(b)中，阳极电位等于或大于20V；离子加速电位差在20V到120V的范围内；以及衬底电流密度在4×10-6A/mm2到8×10-6A/mm2的范围内。
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公开(公告)号：CN104685565A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051757.7
申请日：2013-10-11
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/72 , G11B5/8408
摘要： 本发明的用于热辅助记录方式的磁记录介质具有在非磁性基板上的磁记录层和在所述磁记录层的上部的保护层。所述保护层包含：所述磁记录层的上部的第一下部保护层、所述第一下部保护层上的第一上部保护层、以及所述第一上部保护层上的第二保护层，所述第一下部保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分，所述第一上部保护层是由所述第一下部保护层的材料的氧化物构成的层。
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公开(公告)号：CN104078057A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410112268.4
申请日：2014-03-25
申请人： 昭和电工株式会社
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/8408 , G11B5/85
摘要： 一种磁记录介质的制造方法，其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
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公开(公告)号：CN103765512A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042926.6
申请日：2012-09-18
申请人： 日产化学工业株式会社
IPC分类号： G11B5/65 , B05D7/00 , B05D7/24 , C09D4/00 , C09D4/02 , C09D5/00 , C09D7/12 , G11B5/72 , G11B5/84
CPC分类号： C09D167/00 , C08F230/08 , C08K5/541 , C09D125/08 , G11B5/65 , G11B5/72 , G11B5/84 , G11B5/8404 , G11B5/8408 , C08L25/04 , C08L25/06 , C08L25/08 , C09D125/04
摘要： 本发明的课题是提供可以防止钴成分等磁性材料扩散至填充部(非磁性层)的形成硬盘用平坦化膜的组合物。作为解决本发明的课题的方法涉及一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在该被覆材料中含有相对于每1摩尔苯环为1～90摩尔%的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：选自具有来源于二乙烯基芳香族化合物的单元结构的均聚物和具有该单元结构的共聚物中的至少1种聚合物、或该聚合物与光聚合性化合物的混合物。光聚合性化合物为具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。聚合物为还包含加聚性化合物作为共聚成分的共聚物。一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性体上形成凹凸；第2工序，用形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸；第3工序，通过蚀刻来平坦化，使磁性体表面露出。
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公开(公告)号：CN103262165A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180061314.7
申请日：2011-12-21
申请人： 日产化学工业株式会社
CPC分类号： C09D147/00 , C08F8/14 , C08F12/22 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F212/145 , C08F212/36 , C08F220/64 , C08F222/1006 , C09D125/08 , C09D125/18 , C09D133/14 , G11B5/65 , G11B5/8408 , G11B5/855 , C08F218/12 , C08F2220/281
摘要： 本发明的课题是提供形成硬盘用平坦化膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其包含疏水性被覆材，所述疏水性被覆材由选自(A1)、(A2)、(A3)、(a1)、(a2)和(a3)中的聚合物或聚合物与化合物的组合构成，并且具有光聚合性基和芳香族基，所述(A1)为包含芳香族基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A2)为包含至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(A3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有300～5000的分子量，在大气压下常温下为液体的聚合物，所述(a1)为包含芳香族基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a2)为包含至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物，所述(a3)为包含芳香族基和至少2个光聚合性基，具有100～1000的分子量，在大气压下常温下为液体的化合物。
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公开(公告)号：CN102290055A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110159405.6
申请日：2011-04-20
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/8408
摘要： 本发明提供一种磁介质上润滑剂的沉积技术。在一个实施例中，一种方法可包括：将气体泵浦到包括润滑剂的贮存器中。另外，该方法可包括将所述气体转化成超临界流体，超临界流体从润滑剂中提取润滑剂分子，形成超临界流体和润滑剂分子的混合物。另外，该方法还可包括利用所述混合物将润滑剂分子沉积到磁介质上。
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公开(公告)号：CN102016988A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116115.4
申请日：2009-03-03
申请人： 昭和电工株式会社
发明人： 福岛正人
CPC分类号： G11B5/855 , G11B5/8408
摘要： 一种磁记录介质，其具有磁记录图形，其中通过形成边界区域的凹部来隔离形成磁性层的磁记录区域的凸部。在所述磁性层上，形成连续的碳保护膜。所述凸部上的所述碳保护膜被形成为比所述凹部上的所述碳保护膜厚。所述碳保护膜是通过CVD方法形成的。所述凹部的边界区域优选具有通过将该区域暴露到等离子体等而改性的磁特性。所述磁记录介质的所述磁记录区域不容易被侵蚀，从而所述磁记录介质具有高的环境耐性。
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