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公开(公告)号：CN102800332B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210225470.9
申请日：2012-05-22
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法、以及具备这种磁记录介质或利用这种制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置，所述磁记录介质在圆盘状的非磁性基板上至少具备垂直磁性层，其特征在于，上述垂直磁性层具有如下构造，即，通过实施纹理化处理，在形成有具有圆周方向成分的多个沟槽的形成面上形成FePt或CoPt纳米粒子排列体。
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公开(公告)号：CN101517639B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780034718.0
申请日：2007-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种通过将在磁道之间的区域中的矫顽力和剩余磁化减小到极限而消除了在磁记录时的写模糊现象来制造具有高面记录密度的磁记录介质的方法。在该制造磁记录介质(10)的方法中，在非磁性基底(1)的至少一侧上设置磁性层(3)，并且在磁性层(3)上形成磁性分离的磁图形(3a)；将原子注入到磁性层(3)中，同时使所述原子在磁性层(3)的厚度方向上均匀分布，然后使磁性层(3)部分地非磁性化，从而形成使磁图形(3a)磁性分离的非磁性部分(5)。
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公开(公告)号：CN101542604B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780044047.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , C23C14/0005 , C23C14/48 , H01F41/34
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，该磁记录介质在非磁性基底(1)的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，该方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层(2)；在磁性层上形成掩模层(3)；在掩模层上形成抗蚀剂层(4)；使用压模(5)将磁记录图形的负图形转移到抗蚀剂层；去除掩模层的与磁记录图形的负图形对应的部分；从抗蚀剂层侧的表面将离子注入磁性层中，以使磁性层部分地非磁性化；以及去除抗蚀剂层和掩模层。一种磁记录和再现装置包括：上述磁记录介质(30)；驱动部分(11)，其沿记录方向驱动磁记录介质；磁头(27)，其包括记录部分和再现部分；用于使磁头相对于磁记录介质移动的机构(28)；以及记录和再现信号处理机构(29)，其用于向磁头输入信号和从磁头再现输出信号。
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公开(公告)号：CN101517640A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035193.2
申请日：2007-09-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步骤：对所形成的磁性层的表面施加SOG膜作为抗蚀剂，部分地去除或减薄所述抗蚀剂，并且用原子辐照所述表面，从而通过所述磁性层的去除了所述抗蚀剂或者其中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述磁性层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800332A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210225470.9
申请日：2012-05-22
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法、以及具备这种磁记录介质或利用这种制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置，所述磁记录介质在圆盘状的非磁性基板上至少具备垂直磁性层，其特征在于，上述垂直磁性层具有如下构造，即，通过实施纹理化处理，在形成有具有圆周方向成分的多个沟槽的形成面上形成FePt或CoPt纳米粒子排列体。
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公开(公告)号：CN101960517B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880127437.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供了一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有在非磁性基底的至少一个表面上形成的磁性分离的磁记录图形，所述方法包括通过使形成在所述非磁性基底上的磁性层的一部分与臭氧反应并由此改变所述磁性层的该区域的磁特性而形成所述磁性分离的磁记录图形的步骤。所述磁性层还可以具有两层结构，在该两层结构中，具有非颗粒状结构的磁性层形成在具有颗粒状结构的磁性层上。该制造方法可以高效地制造其记录密度大幅提高的磁记录介质，同时保持等于或优于常规磁记录介质的记录和再现特性。
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公开(公告)号：CN102099858A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127384.0
申请日：2009-05-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 福岛正人
Abstract: 本发明涉及具有磁分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法、该磁记录介质和磁记录再生装置。本发明的制造方法，在非磁性基板上形成连续的记录层后，以不被覆该记录层的一部分的方式在该记录层上形成包含选自Pt、Ru、Pd元素群中的任一种以上的元素的掩模层，其后，通过将记录层的表面上的未被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体或在该反应性等离子体中生成的反应性离子中将该部位的记录层非晶质化，从而对所述部位的磁特性进行改性的磁特性改性工序，形成磁分离了的磁记录图案。
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公开(公告)号：CN102016988A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116115.4
申请日：2009-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 福岛正人
CPC classification number: G11B5/855 , G11B5/8408
Abstract: 一种磁记录介质，其具有磁记录图形，其中通过形成边界区域的凹部来隔离形成磁性层的磁记录区域的凸部。在所述磁性层上，形成连续的碳保护膜。所述凸部上的所述碳保护膜被形成为比所述凹部上的所述碳保护膜厚。所述碳保护膜是通过CVD方法形成的。所述凹部的边界区域优选具有通过将该区域暴露到等离子体等而改性的磁特性。所述磁记录介质的所述磁记录区域不容易被侵蚀，从而所述磁记录介质具有高的环境耐性。
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