-
公开(公告)号：CN117594073A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310843224.8
申请日：2023-07-11
Applicant: 西部数据技术公司
Abstract: 本发明公开了各种装置、系统、方法和介质以提供热辅助磁记录(HAMR)介质，该HAMR介质具有在氧化镁‑氧化钛(MTO)垫层上的磁记录层，其中该MTO垫层包含与钛化学键合的添加剂材料。在一些示例中，该添加剂材料包括氧化铁、铁、碳或各种氧化铝。通过向MTO提供与该MTO的该钛化学键合的该添加剂材料，减轻了钛从该MTO垫层到该磁记录层中的扩散，以提供实现改善的面密度的改善的记录层。在一些实施方案中，还提供了附加的氧化镁‑氮垫层，其可以包含更多的该添加剂材料。
-
公开(公告)号：CN113196392B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201980083935.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关磁场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关磁场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金磁性晶粒(24A)和非磁性晶界氧化物(24B)的颗粒结构，帽层(26)具有包含CoPt合金磁性晶粒(26A)和磁性晶界氧化物(26B)的颗粒结构，帽层(26)的CoPt合金磁性晶粒(26A)含有65原子％以上且90原子％以下的Co、10原子％以上且35原子％以下的Pt，磁性晶界氧化物(26B)相对于帽层(26)整体的体积分数为5体积％以上且40体积％以下。
-
公开(公告)号：CN111971745A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201880091890.8
申请日：2018-09-21
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层，所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非磁性体且磁性体分散于所述非磁性体，所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物，所述盖层(3)的正下方的颗粒层的与盖层的边界部分的氧化物相含有选自由Zn、W、Mn、Fe以及Mo构成的组中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN108573715B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810153505.X
申请日：2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
-
公开(公告)号：CN105637585B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201580002204.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种磁记录层及具有该磁记录层的磁记录介质，该磁记录层具有高磁各向异性常数Ku及低居里温度Tc。本发明所述磁记录介质的特征在于，包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有有序合金，该有序合金包含选自由Fe和Ni所组成的群中的至少1种元素、选自由Pt、Pd、Au、Rh和Ir所组成的群中的至少1种元素、以及Ru。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104240728B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410234952.X
申请日：2014-05-29
Applicant: 索尼公司
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质包括基体、晶种层、底层以及具有粒状结构的垂直记录层。(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)、Ms以及α满足(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)≤0.1[μ·emu·(mm)‑1.5]、Ms≥450[emu/cc]以及α≥1.2。在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，α表示抗磁力Hc周围的M‑H环的梯度，δ表示垂直记录层的厚度，并且Rs表示矩形比。
-
公开(公告)号：CN105830155B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480069456.1
申请日：2014-11-19
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 一种磁性隧道结(MTJ)器件包括自由层。该MTJ还包括耦合至自由层的阻挡层。该MTJ还具有耦合至阻挡层的固定层。固定层包括第一合成反铁磁(SAF)多层，其具有第一垂直磁各向异性(PMA)和第一阻尼常数。固定层还包括第二SAF多层，其具有第二垂直磁各向异性(PMA)以及低于第一阻尼常数的第二阻尼常数。第一SAF多层比第二SAF多层更靠近阻挡层。固定层还包括第一和第二SAF多层之间的SAF耦合层。
-
公开(公告)号：CN105679339B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201410653005.4
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构，依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力，或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力，在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态；当磁场写入时控制应力使其处于铁磁状态，通过耦合作用降低磁性介质层的矫顽力，从而降低写入磁头的写入磁场，降低能耗；当磁场写入完毕后控制应力使变磁性材料处于反铁磁状态，磁性介质层的矫顽力恢复到原来的状态，从而增加存储密度，提高磁性存储器件的数据存储安全性。
-
公开(公告)号：CN108573715A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810153505.X
申请日：2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021 , G11B5/65 , G11B5/64 , G11B5/66
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
-
公开(公告)号：CN103514898B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310245104.4
申请日：2013-06-19
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B11/10536 , G11B2005/0021 , Y10T428/1157 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明公开了包括NFT和包覆层的装置的间层。一种装置，其包括：近场换能器(NFT)；位于NFT附近的至少一个包覆层；以及位于NFT和至少一个包覆层之间的不连续金属层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
643
records
(took 0.025 seconds)
