公开(公告)号：CN109979492B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201811365060.8

申请日：2018-11-16

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 室伏克己 ,  石桥圭孝 ,  福岛隆之 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC分类号： G11B5/716 ,  G11B5/851 ,  G11B5/82 ,  C23C14/34

摘要： 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。

公开(公告)号：CN109036474A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

申请人： 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/64

摘要： 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN108461094A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810145330.8

申请日：2018-02-12

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  福岛隆之 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC分类号： G11B5/65 ,  G11B5/73

摘要： 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。

公开(公告)号：CN104240729B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410244285.3

申请日：2014-06-04

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

摘要： 一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层。

公开(公告)号：CN104347087A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410363017.3

申请日：2014-07-28

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 张磊 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  丹羽和也

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC分类号： G11B5/7325 ,  G11B5/65

摘要： 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

公开(公告)号：CN104282318A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410312115.4

申请日：2014-07-02

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 神边哲也 ,  丹羽和也 ,  村上雄二 ,  张磊

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/73

CPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/314 ,  G11B5/65 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82 ,  G11B20/10 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/0024 ,  G11B2020/10898

摘要： 本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。

公开(公告)号：CN108346437B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201810039987.6

申请日：2018-01-16

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC分类号： G11B5/66

摘要： 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108305645B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC分类号： G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC分类号： G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325

摘要： 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108305645A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC分类号： G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC分类号： G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/731 ,  G11B5/70605 ,  G11B5/725 ,  G11B5/851

摘要： 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN108242244A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711336207.6

申请日：2017-12-14

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 福岛隆之 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC分类号： G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84

CPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851 ,  G11B11/10589 ,  G11B5/70605 ,  G11B5/70626 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/8404

摘要： 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以W为主成分的材料和氮化物并且所述氮化物的含量在1mol％～80mol％的范围内的结晶质层。所述氮化物包括从Al、B、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo及W组成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。