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    热辅助磁记录介质和磁存储装置
    6.
    发明公开
    热辅助磁记录介质和磁存储装置 有权

    公开(公告)号：CN110875063A

    公开(公告)日：2020-03-10

    申请号：CN201910681488.1

    申请日：2019-07-26

    申请人： 昭和电工株式会社

    发明人： 福岛隆之 ,  武晃司 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  茂智雄 ,  张磊 ,  徐晨 ,  梅本裕二 ,  小柳浩 ,  丹羽和也 ,  神边哲也

    IPC分类号： G11B5/48 ,  G11B5/66

    摘要： 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。

    磁记录介质及磁存储装置
    9.
    发明公开
    磁记录介质及磁存储装置 无效

    公开(公告)号：CN104575530A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201410558092.5

    申请日：2014-10-20

    申请人： 昭和电工株式会社

    发明人： 张磊 ,  神边哲也 ,  村上雄二 ,  丹羽和也

    IPC分类号： G11B5/66

    CPC分类号： G11B5/7325 ,  G11B5/65 ,  G11B11/10584 ,  G11B2005/0021

    摘要： 本发明提供磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基板；磁性层，其以具有L10型晶体结构的合金为主成分；以及多个衬底层，其布置在所述基板与所述磁性层之间。所述多个衬底层包括至少一个结晶衬底层，所述结晶衬底层具有(100)取向，并且包括W来作为主成分、以及选自由Fe、Ni、Co、Hf、Zr、Y、Be、Ce、La、及Sc组成的群组的一种或多种元素。