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公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN102822892B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180016253.2
申请日：2011-02-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/314 , G11B5/65 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102725793B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180007083.1
申请日：2011-01-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明具有在基板（101）上依次层叠有第1磁性层（106）和第2磁性层（107）的结构，第1磁性层（106）具有粒状结构，该粒状结构包含：具有L10结构的FePt合金、具有L10结构的CoPt合金或者具有L11结构的CoPt合金的任一种的晶粒；和SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、MgO、C之中的至少一种以上的晶界偏析材料，并且，第1磁性层（106）中的晶界偏析材料的含有率从基板（101）侧朝向第2磁性层（107）侧减少。
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公开(公告)号：CN101828222A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880108642.6
申请日：2008-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 公开了一种垂直磁记录装置，其至少包括均设置在非磁性基底上的软磁性层、下垫层、中间层以及垂直磁记录层，其中所述垂直磁记录层由具有一个或多个组成层的磁性层构成，其中所述磁性层中的至少一个组成层包括氧化物晶粒边界和主要由钴构成的铁磁晶粒，并且其中所述铁磁晶粒包含钌。在所述垂直磁记录介质中，可以获得以下所有方面：垂直磁记录层中的晶粒之间的分离、晶粒尺寸的微细化以及垂直取向性。因此该垂直磁记录介质能够记录/再现高密度的信息。
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公开(公告)号：CN101809660A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109310.X
申请日：2008-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层，并且，所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。另外，所述bcc结构的(110)晶体取向层优选是含有60原子％以上的Cr的结构。该磁记录介质，通过兼具垂直磁记录层的晶体粒径的分离，晶体粒径的微细化和垂直取向性而具有能够记录再生高密度信息的特性。
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公开(公告)号：CN103226954B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310032007.7
申请日：2013-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102208192B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110076895.3
申请日：2011-03-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、-120千卡/摩尔O2以下的元素。该热辅助磁记录介质具有磁性晶粒均匀、并且磁性粒子间的交换耦合充分弱的特性。
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