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公开(公告)号：CN101606197A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004342.3
申请日：2008-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/7325
Abstract: 在至少具有非磁性基底上的软磁背层、底层、中间层以及垂直磁记录层的垂直磁记录介质中，所述中间层中的至少一个层包含作为主成分元素的Re并包含作为第二主成分元素的具有hcp结构的元素或具有bcc结构的元素。作为所述中间层的主成分元素的Re的浓度在从55到99.5原子百分比的范围内。所述第二主成分元素为Co或Cr。
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公开(公告)号：CN101015003A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580027949.X
申请日：2005-08-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，它具有优秀的启动操作性能和耐久性，以及令人满意的表面润滑性。本发明涉及到一种磁记录介质的制造工艺，在这种磁记录介质中，在非磁性基底上顺序层叠至少一层磁性层、一层保护膜层和一层润滑层，在所述制造工艺中，用在接近大气压的一个气压下产生的等离子体所激活的气体对所述保护膜层进行表面处理。本发明也涉及到根据上述制造工艺所产生的一种磁记录介质。
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公开(公告)号：CN104347088B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
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公开(公告)号：CN101842837A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880114270.8
申请日：2008-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/845
Abstract: 在使膜形成之后的磁记录介质从载体脱离的步骤之后且在将下一个膜形成基底附着到载体的步骤之前，执行对沉积并粘附到载体的表面上的碳膜进行在含氧气体中灰化去除的步骤，并且当执行对碳膜进行灰化去除的步骤时，向载体施加脉冲电压偏置。此外，在对碳膜进行灰化去除的步骤的初始阶段，与氧气浓度相比增加等离子体中的非活性气体的浓度，然后与非活性气体的浓度相比增加氧气浓度。结果，有效地减小了在基底保持载体上沉积的碳膜，抑制了由剥离沉积的膜导致的颗粒的产生，并抑制了由沉积在载体的表面上的碳膜导致的释放气体的排出。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101785052A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104378.9
申请日：2008-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供兼备磁性晶粒的粒径微细化和高密度化，并且即使减薄中间层～种子层的非磁性层的膜厚也能够保持磁记录层的垂直取向性从而能够进行高密度的信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述的磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，取向控制层由多层构成，包括从基板侧起的种子层和中间层，作为种子层和中间层的材料，选用中间层材料相对于非晶的种子层材料的接触角在10度～100度的范围的材料。
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公开(公告)号：CN101627429A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007478.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , Y10T428/11
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再现的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。这样的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述基底层为fcc结构的(111)结晶取向层，所述中间层依次包含bcc结构的(110)结晶取向层和hcp结构的(002)结晶取向层。另外，所述bcc结构的(110)结晶取向层含有60原子％以上的Cr。
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公开(公告)号：CN115206349A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210330080.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。
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公开(公告)号：CN103730135A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/7325 , G11B5/84
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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公开(公告)号：CN101689375A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021665.3
申请日：2008-04-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置。作为在非磁性基板上具有衬底层、基底层、中间层和至少1层垂直磁记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁记录层包含Co及Cr，其至少1层为由强磁性的晶粒和非磁性的氧化物的晶界构成的颗粒结构，构成该晶界的氧化物包含W氧化物。作为其他方式，使所述垂直磁记录层具有多层颗粒结构，所述多层颗粒结构具有以W氧化物为晶界的磁记录层、和形成于其上的以Cr氧化物、Si氧化物、Ta氧化物或Ti氧化物为晶界的磁记录层。该磁记录介质垂直磁性层的垂直取向性优，且具有强磁性晶粒的平均粒径极其微细的特性，高记录密度特性优。
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