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公开(公告)号：CN100573940C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200680032214.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。
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公开(公告)号：CN101449397A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018239.X
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供一种能够得到可抑制由氢退火处理所导致的p型半导体层的电阻率的增加，同时减少透光性导电氧化膜的电阻率，并且驱动电压(Vf)低的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。能够得到这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件的p型GaN层(14)上层叠由透光性导电氧化膜形成的正极(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，为具有在含氢(H2)的气体气氛中对正极15进行退火处理的氢退火工序的构成。
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公开(公告)号：CN101421859A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013544.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
Abstract: 一种基于GaN的半导体发光器件1包括叠层体10A和在导电衬底31上形成的第二接合层33，所述叠层体10A具有部件层12并具有由金属制造的第一接合层14作为最外层，部件层12包括每一层均由基于GaN的半导体形成的依次堆叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述第二接合层33适合于将与形成了所述导电衬底31的侧面相对的其表面接合到所述第一接合层14，所述第二接合层33由与所述第一接合层14相同晶体结构的金属制造并沿所述接合表面的垂直方向和所述接合表面的面内方向呈现出相同的晶体取向。
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公开(公告)号：CN101410992A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010489.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供发光特性、和出光效率优异的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及灯。这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是被赋予了凹凸形状的透光性基板上至少具有缓冲层、n型半导体层、发光层、p型半导体层的GaN系半导体发光元件的制造方法，通过使用具有摆动式磁控管磁路的溅射装置的溅射法成膜，得到所述缓冲层。另外，以AlN、ZnO、Mg、Hf形成所述缓冲层。
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公开(公告)号：CN101268560A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034270.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。或者，本发明的构成为：在按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、金属板而成的结构中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101015003A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580027949.X
申请日：2005-08-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，它具有优秀的启动操作性能和耐久性，以及令人满意的表面润滑性。本发明涉及到一种磁记录介质的制造工艺，在这种磁记录介质中，在非磁性基底上顺序层叠至少一层磁性层、一层保护膜层和一层润滑层，在所述制造工艺中，用在接近大气压的一个气压下产生的等离子体所激活的气体对所述保护膜层进行表面处理。本发明也涉及到根据上述制造工艺所产生的一种磁记录介质。
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公开(公告)号：CN101326649B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680046658.X
申请日：2006-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板(11)上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层(13)、发光层(14)、p型半导体层(15)的顺序将它们层叠，在该p型半导体层(15)上层叠透光性正极(16)，并在该透光性正极(16)上设置正极接合垫(17)，在n型半导体层(13)上设置有负极接合垫(18)的氮化镓类化合物半导体发光元件中，在透光性正极(16)的表面(16a)的至少一部分形成无序的凹凸面。
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公开(公告)号：CN101405879B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780010333.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种可得到光取出效率优异、且可在低的驱动电压下工作的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。所述氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括：第一结晶生长工序，在基板(11)上顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层(13)、发光层(14)和第一p型半导体层(15)；第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成的第二p型半导体层(16)，在所述第一结晶生长工序与第二结晶生长工序之间具备在所述第一p型半导体层(15)表面形成凹凸的凹凸形成工序、和在该凹凸形成工序之后进行热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN101268560B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680034270.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。或者，本发明的构成为：在按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、金属板而成的结构中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层。
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公开(公告)号：CN101185128A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018703.0
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
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