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公开(公告)号：CN101331616B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200680046768.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。
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公开(公告)号：CN101978514A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110336.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件，其特征在于：在基板(11)上按顺序层叠有由化合物半导体形成的n型半导体层(12)、发光层(13)以及p型半导体层(14)，还具备由导电型透光性电极形成的正极(15)以及由导电型电极形成的负极(17)，形成正极(15)的导电型透光性电极是包含具有六方晶构造的组成为In2O3的结晶的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN101449397A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018239.X
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供一种能够得到可抑制由氢退火处理所导致的p型半导体层的电阻率的增加，同时减少透光性导电氧化膜的电阻率，并且驱动电压(Vf)低的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。能够得到这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件的p型GaN层(14)上层叠由透光性导电氧化膜形成的正极(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，为具有在含氢(H2)的气体气氛中对正极15进行退火处理的氢退火工序的构成。
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公开(公告)号：CN101523626A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780038051.1
申请日：2007-12-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供在制造工序中成品率良好、具有优异的发光输出功率的化合物半导体发光元件和其制造方法。本发明的化合物半导体发光元件，由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠在基板上，并具有第1传导型透明电极和第2传导型电极，其特征在于，该第1传导型透明电极是由含有方铁锰矿(Bixbyite)结构In2O3晶体的IZO膜形成的。
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公开(公告)号：CN101523626B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780038051.1
申请日：2007-12-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供在制造工序中成品率良好、具有优异的发光输出功率的化合物半导体发光元件和其制造方法。本发明的化合物半导体发光元件，由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠在基板上，并具有第1传导型透明电极和第2传导型电极，其特征在于，该第1传导型透明电极是由含有方铁锰矿(Bixbyite)结构In2O3晶体的IZO膜形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102037576A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118007.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体发光元件(1)，是具备基板(101)、在基板101上依次形成n型半导体层(104)、发光层(105)和p型半导体层(106)而构成的叠层半导体层(20)和在p型半导体层(106)的上面(106a)形成的透光性电极层(109)的半导体发光元件(1)，透光性电极层(109)含有掺杂元素，透光性电极层(109)中的掺杂元素的含有量，随着接近p型半导体层(106)与透光性电极层(109)的界面(109a)而逐渐减少。在透光性电极层(109)中形成有构成p型半导体层(106)的元素从界面(109a)向透光性电极层(109)内扩散而成的扩散区域。
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公开(公告)号：CN101421856A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012867.7
申请日：2007-04-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供可高效地输出紫外光的半导体发光元件及其制造方法。本发明的半导体发光元件(1)，其具备含有p型半导体层(14)并至少在紫外区具有发光波长的半导体层和设置于所述p型半导体层(14)上的透光性电极(15)，所述透光性电极(15)是含有结晶化了的IZO膜的电极。
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公开(公告)号：CN101971368A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108694.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。
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公开(公告)号：CN101427390A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014544.1
申请日：2007-04-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C23C14/5813 , C23C14/086 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供驱动电压(Vf)低、光取出效率高的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及氮化镓系化合物半导体发光元件和灯。所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件(1)的p型半导体层(14)上层叠含有掺杂物的透光性导电氧化膜(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，具备层叠透光性导电氧化膜(15)后，使用激光对该透光性导电氧化膜进行退火处理的激光退火工序。
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公开(公告)号：CN101331616A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046768.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。
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