公开(公告)号：CN101331616B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200680046768.6

申请日：2006-12-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福永修大 ,  篠原裕直 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。

公开(公告)号：CN101978514A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110336.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  福永修大 ,  横山泰典

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件，其特征在于：在基板(11)上按顺序层叠有由化合物半导体形成的n型半导体层(12)、发光层(13)以及p型半导体层(14)，还具备由导电型透光性电极形成的正极(15)以及由导电型电极形成的负极(17)，形成正极(15)的导电型透光性电极是包含具有六方晶构造的组成为In2O3的结晶的透明导电膜。

公开(公告)号：CN101331617A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680046919.8

申请日：2006-12-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 村木典孝 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明的目的是提供光取出效率优异的、具备具有开口部的正极的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有由氮化镓系化合物半导体构成的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是来源于球状的粒状物的凹凸面。

公开(公告)号：CN101258615A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032456.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  三木久幸 ,  村木典孝

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。

公开(公告)号：CN101326649B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680046658.X

申请日：2006-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板(11)上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层(13)、发光层(14)、p型半导体层(15)的顺序将它们层叠，在该p型半导体层(15)上层叠透光性正极(16)，并在该透光性正极(16)上设置正极接合垫(17)，在n型半导体层(13)上设置有负极接合垫(18)的氮化镓类化合物半导体发光元件中，在透光性正极(16)的表面(16a)的至少一部分形成无序的凹凸面。

公开(公告)号：CN101405879B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200780010333.0

申请日：2007-03-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  村木典孝 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种可得到光取出效率优异、且可在低的驱动电压下工作的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。所述氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括：第一结晶生长工序，在基板(11)上顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层(13)、发光层(14)和第一p型半导体层(15)；第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成的第二p型半导体层(16)，在所述第一结晶生长工序与第二结晶生长工序之间具备在所述第一p型半导体层(15)表面形成凹凸的凹凸形成工序、和在该凹凸形成工序之后进行热处理的热处理工序。

公开(公告)号：CN101523626A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038051.1

申请日：2007-12-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福永修大 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供在制造工序中成品率良好、具有优异的发光输出功率的化合物半导体发光元件和其制造方法。本发明的化合物半导体发光元件，由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠在基板上，并具有第1传导型透明电极和第2传导型电极，其特征在于，该第1传导型透明电极是由含有方铁锰矿(Bixbyite)结构In2O3晶体的IZO膜形成的。

公开(公告)号：CN100573940C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200680032214.0

申请日：2006-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 村木典孝 ,  篠原裕直 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。

公开(公告)号：CN101410992A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010489.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供发光特性、和出光效率优异的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及灯。这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是被赋予了凹凸形状的透光性基板上至少具有缓冲层、n型半导体层、发光层、p型半导体层的GaN系半导体发光元件的制造方法，通过使用具有摆动式磁控管磁路的溅射装置的溅射法成膜，得到所述缓冲层。另外，以AlN、ZnO、Mg、Hf形成所述缓冲层。

公开(公告)号：CN101213678A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024176.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  篠原裕直 ,  龟井宏二

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。