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公开(公告)号：CN102326268A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008276.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2924/00
Abstract: 采用一种发光二极管(1)，是能够在封装内减少从LED芯片的发光的损失，并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管，其特征在于，具备：包含具有发光层(9)的发光部(8)的化合物半导体层(2)以及基板(3)，在基板(3)的侧面设置有比基板(3)反射率高的外部反射层(4)。
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公开(公告)号：CN101405879A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010333.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种可得到光取出效率优异、且可在低的驱动电压下工作的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。所述氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括：第一结晶生长工序，在基板(11)上顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层(13)、发光层(14)和第一p型半导体层(15)；第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成的第二p型半导体层(16)，在所述第一结晶生长工序与第二结晶生长工序之间具备在所述第一p型半导体层(15)表面形成凹凸的凹凸形成工序、和在该凹凸形成工序之后进行热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN102725871B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180007108.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。
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公开(公告)号：CN101467272B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200780021924.8
申请日：2007-06-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明的目的是提供光取出效率优异、发光输出功率高的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是包括基板和层叠于基板上的氮化镓系化合物半导体层的发光元件，其特征在于，发光元件的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形，该氮化镓系化合物半导体层的侧面与基板主面不垂直。
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公开(公告)号：CN101331617A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046919.8
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 本发明的目的是提供光取出效率优异的、具备具有开口部的正极的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有由氮化镓系化合物半导体构成的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是来源于球状的粒状物的凹凸面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101258615A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032456.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。
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公开(公告)号：CN103430332B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201280013022.0
申请日：2012-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供以均匀的膜厚形成保护膜及其上的电极膜的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在上部具有平坦部和台面型结构部，该台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，平坦部和台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，倾斜侧面通过湿式蚀刻形成，且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部的至少一部分、倾斜侧面、顶面的周缘区域，并且俯视在周缘区域的内侧具有将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是以与从上述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于上述平坦部上的保护膜的一部分，在上述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。
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公开(公告)号：CN102725870A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007106.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管、具有该发光二极管的发光二极管灯和照明装置，所述发光二极管的特征在于，具有发光部、在上述发光部上形成的电流扩散层和接合于所述电流扩散层的功能性基板，所述发光部具有：活性层，即，将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的势垒层交替层叠而成的量子阱结构的活性层；夹持该活性层的、组成式为（AlX3Ga1-X3）As（0≤X3≤1）的第1引导层和第2引导层；隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持上述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，上述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-X4）YIn1-YP（0≤X4≤1，0＜Y≤1）。
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公开(公告)号：CN102598319A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051487.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/73265
Abstract: 提供一种具有700nm以上的红外发光波长、单色性优异、并且高输出功率和高效率的耐湿性优异的发光二极管。本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：含有活性层的发光部（7），所述活性层具有组成式为（AlXGa1-X）As（0≤X≤1）的阱层（12）和势垒层（13）的叠层结构并发出红外光；形成于发光部（7）上的电流扩散层（8）；和与电流扩散层（8）接合的功能性基板（3）。
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公开(公告)号：CN100573940C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200680032214.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。
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