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公开(公告)号：CN101689592B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880022134.6
申请日：2008-07-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02658 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。
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公开(公告)号：CN101438429B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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公开(公告)号：CN100590898C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200580025689.2
申请日：2005-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于面朝上型芯片中的透明正电极，该芯片即使用低驱动电压也可发射强光。本发明的用于半导体发光器件的正电极包括：形成在半导体层上的透明电极和形成在所述透明电极上的接合衬垫电极，其中所述接合衬垫电极具有至少与所述透明电极接触的反射层。
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公开(公告)号：CN101542756A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044018.X
申请日：2007-12-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供可得到生产率优异并具有优异的发光特性的元件的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯。本发明的方法，是通过由等离子体将金属材料和含有Ⅴ族元素的气体活化而使其进行反应，从而在基板(11)上成膜出由Ⅲ族氮化物化合物形成的中间层(12)，在该中间层(12)上依次层叠由Ⅲ族氮化物半导体形成的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的制造方法，所述Ⅴ族元素为氮，形成中间层(12)时的所述气体中的氮的气体分率为大于20％且在99％以下的范围，并且作为单晶组织形成中间层(12)。
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公开(公告)号：CN1993837A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580025689.2
申请日：2005-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于面朝上型芯片中的透明正电极，该芯片即使用低驱动电压也可发射强光。本发明的用于半导体发光器件的正电极包括：形成在半导体层上的透明电极和形成在所述透明电极上的接合衬垫电极，其中所述接合衬垫电极具有至少与所述透明电极接触的反射层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101506946B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200780030345.X
申请日：2007-08-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为Ⅲ族元素的Ga的Ⅲ族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。
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公开(公告)号：CN101522942B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200780036234.X
申请日：2007-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。
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公开(公告)号：CN102017082A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115352.9
申请日：2009-03-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L33/00
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件，是在基板(11)上至少层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)而构成的，该缓冲层(12)由AlN形成，该缓冲层(12)的a轴的晶格常数比大块状态下的AlN的a轴的晶格常数小。
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公开(公告)号：CN100481540C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580004358.0
申请日：2005-02-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。
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公开(公告)号：CN100481330C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580034835.8
申请日：2005-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：在反应容器中安装衬底；在所述衬底上形成III族氮化物半导体；使固体氮化合物存在于所述反应容器中作为III族氮化物半导体的氮源；以及向所述反应容器中供给作为III族元素的源的原材料气体，从而制造所述III族氮化物半导体。
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