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公开(公告)号：CN101405876A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009786.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供驱动电压低、且发光效率优越的双面电极型的III族氮化物半导体发光元件。这样的III族氮化物半导体发光元件是，其半导体叠层结构至少具备杂质层30和III族氮化物半导体层2，所述杂质层30含有高浓度层3b和低浓度层3a，所述高浓度层3b由含有高浓度杂质原子的III族氮化物半导体形成，所述低浓度层3a由含有比高浓度层3b浓度低的杂质原子的III族氮化物半导体形成，低浓度层3a与高浓度层3b依次在III族氮化物半导体层2上连续形成。
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公开(公告)号：CN101517759B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780035629.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。
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公开(公告)号：CN101578715A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880002247.X
申请日：2008-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01S5/323 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族氮化物化合物半导体元件，具有：基板；设置于所述基板上的中间层；和基底层，所述基底层设置于所述中间层上，(0002)面的摇摆曲线半值宽度为100弧度秒以下，且(10－10)面的摇摆曲线半值宽度为300弧度秒以下。另外，本发明的III族氮化物化合物半导体元件的制造方法具有采用溅射法形成所述中间层的工序。
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公开(公告)号：CN100490190C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200480029851.3
申请日：2004-10-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L31/184 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种III族氮化物半导体元件，其包括呈现高结晶性和没有裂缝的厚AlGaN层，并且不包括厚GaN层(其通常作为在紫外LED中的光吸收层)。本发明的III族氮化物半导体元件包括：衬底；在所述衬底上提供的由AlN构成的第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上提供的由Alx1Ga1-x1N(0≤x1≤0.1)构成的第二氮化物半导体层；以及在所述第二氮化物半导体层上提供的由Alx2Ga1-x2N(0＜x2＜1并且x1+0.02≤x2)构成的第三氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN101438429B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1868070A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029851.3
申请日：2004-10-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L31/184 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种III族氮化物半导体元件，其包括呈现高结晶性和没有裂缝的厚AlGaN层，并且不包括厚GaN层(其通常作为在紫外LED中的光吸收层)。本发明的III族氮化物半导体元件包括：衬底；在所述衬底上提供的由AlN构成的第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上提供的由Alx1Ga1－x1N(0≤x1≤0.1)构成的第二氮化物半导体层；以及在所述第二氮化物半导体层上提供的由Alx2Ga1－x2N(0＜x2＜1并且x1+0.02≤x2)构成的第三氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN102484177A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039686.5
申请日：2010-07-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 酒井浩光
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/02
Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，具备：在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、活性层和p型半导体层的第2工序。
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公开(公告)号：CN101405876B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780009786.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供驱动电压低、且发光效率优越的双面电极型的III族氮化物半导体发光元件。这样的III族氮化物半导体发光元件是，其半导体叠层结构至少具备杂质层30和III族氮化物半导体层2，所述杂质层30含有高浓度层3b和低浓度层3a，所述高浓度层3b由含有高浓度杂质原子的III族氮化物半导体形成，所述低浓度层3a由含有比高浓度层3b浓度低的杂质原子的III族氮化物半导体形成，低浓度层3a与高浓度层3b依次在III族氮化物半导体层2上连续形成。
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公开(公告)号：CN101558502A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780045961.2
申请日：2007-12-19
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种可获得能够很好地用于内部量子效率和光取出效率优异的发光元件的形成的结晶性优异的III族氮化物半导体层的制造方法。根据本发明，可提供一种III族氮化物半导体层(103)的制造方法，该制造方法在基板(101)上形成单晶的III族氮化物半导体层(103)，其中，该制造方法具有：通过在基板(101)的(0001)C面上形成由与所述C面不平行的表面(12c)构成的多个凸部(12)，从而在所述基板(101)形成由平面(11)和所述凸部(12)构成的上面(10)的基板加工工序，所述平面由所述C面构成；和在所述上面(10)上外延生长所述III族氮化物半导体层(103)，由所述III族氮化物半导体层(103)掩埋所述凸部(12)的外延工序。
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公开(公告)号：CN101517759A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035629.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。
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