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公开(公告)号：CN101506946A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780030345.X
申请日：2007-08-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、III族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。
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公开(公告)号：CN101438429B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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公开(公告)号：CN101506946B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200780030345.X
申请日：2007-08-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为Ⅲ族元素的Ga的Ⅲ族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。
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公开(公告)号：CN101522942B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200780036234.X
申请日：2007-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。
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公开(公告)号：CN101681629B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200880019557.2
申请日：2008-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明旨在提供一种制造磁记录介质的方法，其是一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，所述方法包括：在非磁性基底上形成磁性层；然后将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子，以使所述磁性层的该部分非晶化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681629A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019557.2
申请日：2008-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明旨在提供一种制造磁记录介质的方法，其是一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，所述方法包括：在非磁性基底上形成磁性层；然后将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子，以使所述磁性层的该部分非晶化。
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公开(公告)号：CN101522942A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036234.X
申请日：2007-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。
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公开(公告)号：CN101401154A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008569.0
申请日：2007-02-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，包括在非磁性基底(1)的至少一侧上沉积磁性层或含Co磁性层(3)以及将原子部分地注入到磁性层或含Co磁性层中以部分地非磁性化磁性层或含Co磁性层的步骤，从而形成非磁性部分(4)和通过非磁性部分磁性分离的磁记录图形，且在含Co磁性层的情况下，使由X射线衍射确定的含Co磁性层的相关部分的Co(002)或Co(110)峰值强度降低至1/2以下。一种磁记录和再现装置包括磁记录介质(30)、用于在记录方向上驱动磁记录介质的驱动部件(26)、由记录部件和再生部件组成的磁头(27)、用于使磁头相对于磁记录介质运动的机构(28)、以及适于使信号进入磁头并从磁头再生输出信号的记录和再现信号处理机构(29)。
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公开(公告)号：CN101401154B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200780008569.0
申请日：2007-02-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，包括在非磁性基底(1)的至少一侧上沉积磁性层或含Co磁性层(3)以及将原子部分地注入到磁性层或含Co磁性层中以部分地非磁性化磁性层或含Co磁性层的步骤，从而形成非磁性部分(4)和通过非磁性部分磁性分离的磁记录图形，且在含Co磁性层的情况下，使由X射线衍射确定的含Co磁性层的相关部分的Co(002)或Co(110)峰值强度降低至1/2以下。一种磁记录和再现装置包括磁记录介质(30)、用于在记录方向上驱动磁记录介质的驱动部件(26)、由记录部件和再生部件组成的磁头(27)、用于使磁头相对于磁记录介质运动的机构(28)、以及适于使信号进入磁头并从磁头再生输出信号的记录和再现信号处理机构(29)。
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公开(公告)号：CN101438429A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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