公开(公告)号：CN100481540C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580004358.0

申请日：2005-02-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  武田仁志 ,  三木久幸 ,  桜井哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。

公开(公告)号：CN100341115C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN01802460.2

申请日：2001-08-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 浦岛泰人 ,  奥山峰夫 ,  桜井哲朗 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

公开(公告)号：CN1918717A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004358.0

申请日：2005-02-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  武田仁志 ,  三木久幸 ,  桜井哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。

公开(公告)号：CN1618116A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN01802460.2

申请日：2001-08-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 浦岛泰人 ,  奥山峰夫 ,  桜井哲朗 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。