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公开(公告)号：CN101238594B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680028774.9
申请日：2006-07-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 龟井宏二
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件，所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极以及覆盖所述第一正电极的侧面和上面的覆盖层，所述覆盖层不会从所述p型半导体层剥落。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极的外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
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公开(公告)号：CN100550441C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580020771.6
申请日：2005-06-22
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 龟井宏二
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/28575 , H01L33/32
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有高反射性正电极的氮化镓基半导体化合物半导体发光器件，其中该高反射性正电极具有高反向电压和对p型氮化镓基化合物半导体层具有低接触电阻的优良可靠性。本发明的用于半导体发光器件的反射性正电极包括邻接p型半导体层的接触金属层，以及在所述接触金属层上的反射层，其中所述接触金属层由铂族金属或者包含铂族金属的合金形成，并且所述反射层由选自Ag、Al以及包含Ag和Al的至少一者的合金中的至少一种金属形成。
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公开(公告)号：CN109642342B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780051959.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , G01N21/956 , H01L21/205
Abstract: 本SiC外延晶片是在具有偏离角、且基板碳夹杂物密度为0.1～2.5个/cm2的4H‑SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层所含的、由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷和三角缺陷的合计密度为0.6个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN102246326A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150297.7
申请日：2009-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN100568561C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680024176.4
申请日：2006-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101238594A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028774.9
申请日：2006-07-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 龟井宏二
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件，所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极以及覆盖所述第一正电极的侧面和上面的覆盖层，所述覆盖层不会从所述p型半导体层剥落。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极的外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
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公开(公告)号：CN109887853A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811449365.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。该SiC外延晶片的评价方法包括：准备具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的SiC外延晶片的步骤；对所述杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层照射激发光的步骤；以及经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面的第1观察步骤。
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公开(公告)号：CN101310392B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680042644.0
申请日：2006-11-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 龟井宏二
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。
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