公开(公告)号：CN111048431B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910962531.1

申请日：2019-10-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明的SiC基板的评价方法中，对层叠外延层之前的SiC基板的第1面照射激励光，提取从所述第1面发出的光致发光的光之中波段为405nm以上且445nm以下的光，观察带状堆垛层错。

公开(公告)号：CN111180319B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201911073469.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法。提供一种在正向上流动了电流时不易产生堆垛层错的SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法包括：测定基底面位错密度的测定工序、决定外延层的层构成的层构成决定工序以及生长外延层的外延生长工序，(i)在所述层构成决定工序中，在所述基底面位错密度小于预定值的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层和漂移层，(ii)在所述基底面位错密度为预定值以上的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层、复合层以及漂移层。

公开(公告)号：CN111180319A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911073469.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法。提供一种在正向上流动了电流时不易产生堆垛层错的SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法包括：测定基底面位错密度的测定工序、决定外延层的层构成的层构成决定工序以及生长外延层的外延生长工序，(i)在所述层构成决定工序中，在所述基底面位错密度小于预定值的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层和漂移层，(ii)在所述基底面位错密度为预定值以上的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层、复合层以及漂移层。

公开(公告)号：CN111048431A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910962531.1

申请日：2019-10-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明的SiC基板的评价方法中，对层叠外延层之前的SiC基板的第1面照射激励光，提取从所述第1面发出的光致发光的光之中波段为405nm以上且445nm以下的光，观察带状堆垛层错。

公开(公告)号：CN109887853A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201811449365.7

申请日：2018-11-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。该SiC外延晶片的评价方法包括：准备具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的SiC外延晶片的步骤；对所述杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层照射激发光的步骤；以及经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面的第1观察步骤。

公开(公告)号：CN115992384A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211254037.8

申请日：2022-10-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在事后确定标记前的晶片发生了更换的SiC锭。本实施方式涉及的SiC锭，具有晶种和在晶种上生长的单晶，所述单晶在内部具有在生长方向上贯穿的微管，当对从所述单晶沿着与所述生长方向交叉的方向切出的多个晶片进行光致发光观察时，所述多个晶片之中从最接近所述晶种的位置切出的第1晶片中的所述微管の的S/N比，高于从比所述第1晶片远离所述晶种的位置切出的第2晶片中的所述微管的S/N比。

公开(公告)号：CN112018166A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010971410.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板的第1面上层叠的外延层，所述SiC外延晶片中，所述SiC基板的第1面的带状堆垛层错所占的面积被确定，所述SiC基板的第1面的所述带状堆垛层错所占的面积为1/4以下。

公开(公告)号：CN111540782A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010079770.5

申请日：2020-02-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  深田启介

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供VF劣化得到抑制的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片(10)是在SiC单晶基板(1)上形成有SiC外延层(2)的SiC外延晶片，SiC外延层(2)所包含的由基板的微管引起的大凹坑缺陷和由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的合计密度为1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN111063730A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910978671.8

申请日：2019-10-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20

Abstract: 提供一种在SiC外延晶片的制造中难以破裂的SiC基板。本发明的SiC基板(1)具备：第1主面(1a)、配置于第1主面(1a)的相反侧的第2主面(1b)及连结于第1主面(1a)和第2主面(1b)的外周(1c)，存在于SiC基板的周端部(1A)的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为0.01个/cm2以上且10个/cm2以下。