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公开(公告)号：CN101421859B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200780013544.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
Abstract: 一种基于GaN的半导体发光器件1包括叠层体10A和在导电衬底31上形成的第二接合层33，所述叠层体10A具有部件层12并具有由金属制造的第一接合层14作为最外层，部件层12包括每一层均由基于GaN的半导体形成的依次堆叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述第二接合层33适合于将与形成了所述导电衬底31的侧面相对的其表面接合到所述第一接合层14，所述第二接合层33由与所述第一接合层14相同晶体结构的金属制造并沿所述接合表面的垂直方向和所述接合表面的面内方向呈现出相同的晶体取向。
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公开(公告)号：CN100552994C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200680033065.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括具有高粘着性的正电极和负电极，可以输出高功率，且不产生热；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且所述镀敷粘着层由包括50质量%或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。
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公开(公告)号：CN101268560B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680034270.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。或者，本发明的构成为：在按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、金属板而成的结构中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层。
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公开(公告)号：CN102246326A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150297.7
申请日：2009-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/42
Abstract: 一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100565949C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200680033223.1
申请日：2006-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，该氮化物半导体发光器件在去除衬底之后翘曲较小，并且可从其侧面发射光；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤：通过在衬底上依次层叠至少n型半导体层、发光层和p型半导体层，形成叠层；形成沟槽，所述沟槽对应于将要制造的氮化物半导体发光器件分割所述叠层；用牺牲层填充所述沟槽；以及通过镀敷在所述p型半导体层和所述牺牲层上形成镀敷层。
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公开(公告)号：CN101263611A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033223.1
申请日：2006-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，该氮化物半导体发光器件在去除衬底之后翘曲较小，并且可从其侧面发射光；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤：通过在衬底上依次层叠至少n型半导体层、发光层和p型半导体层，形成叠层；形成沟槽，所述沟槽对应于将要制造的氮化物半导体发光器件分割所述叠层；用牺牲层填充所述沟槽；以及通过镀敷在所述p型半导体层和所述牺牲层上形成镀敷层。
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公开(公告)号：CN101263609A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033065.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括具有高粘着性的正电极和负电极，可以输出高功率，且不产生热；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且所述镀敷粘着层由包括50质量％或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。
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公开(公告)号：CN101421859A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013544.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
Abstract: 一种基于GaN的半导体发光器件1包括叠层体10A和在导电衬底31上形成的第二接合层33，所述叠层体10A具有部件层12并具有由金属制造的第一接合层14作为最外层，部件层12包括每一层均由基于GaN的半导体形成的依次堆叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述第二接合层33适合于将与形成了所述导电衬底31的侧面相对的其表面接合到所述第一接合层14，所述第二接合层33由与所述第一接合层14相同晶体结构的金属制造并沿所述接合表面的垂直方向和所述接合表面的面内方向呈现出相同的晶体取向。
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公开(公告)号：CN101268560A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034270.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供支持基板的强度特性优异，并且来自该支持基板的反射光少的、提高了光获取效率的半导体元件及其制造方法。本发明的构成为：在基板上按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、镀覆金属板而成的氮化物系半导体发光元件中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上。或者，本发明的构成为：在按顺序至少层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层、金属膜层、金属板而成的结构中，所述金属膜层和所述镀覆金属板部分地形成于所述p型半导体层上，在所述p型半导体层上的没有形成所述金属膜层和所述镀覆金属板的部分上形成有透光性物质层。
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