公开(公告)号：CN110739239A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910572047.8

申请日：2019-06-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供一种能够容易地检测工艺过程中产生的缺陷的SiC器件的制造方法。本发明的一个技术方案涉及的SiC器件的制造方法包括：离子注入工序，对具有外延层的SiC外延晶片的所述外延层进行离子注入；和评价工序，在所述离子注入工序后，对所述SiC外延晶片的缺陷进行评价，所述评价工序包括：表面检查工序，进行所述SiC外延晶片的表面检查；PL检查工序，对所述SiC外延晶片的表面照射激发光，进行光致发光测定；以及判定工序，根据通过所述表面检查检测出的表面缺陷像以及通过所述PL检查工序检测出的PL缺陷像，判定所述缺陷的程度。

公开(公告)号：CN109642343A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052334.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956 ,  H01L21/205

Abstract: 一种SiC外延晶片，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm2的4H-SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109642343B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201780052334.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956

Abstract: 一种SiC外延晶片，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm2的4H‑SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109642342A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051959.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956 ,  H01L21/205

Abstract: 本SiC外延晶片是在具有偏离角、且基板碳夹杂物密度为0.1～2.5个/cm2的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层所含的、由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷和三角缺陷的合计密度为0.6个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109642342B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201780051959.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956 ,  H01L21/205

Abstract: 本SiC外延晶片是在具有偏离角、且基板碳夹杂物密度为0.1～2.5个/cm2的4H‑SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层所含的、由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷和三角缺陷的合计密度为0.6个/cm2以下。