公开(公告)号：CN102124574A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980131958.1

申请日：2009-06-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 平岩大介 ,  冈部健彦 ,  大庭玲美 ,  渡边宗隆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明的目的在于提供包括提高了接合性及耐腐蚀性的电极的半导体发光元件及其制造方法、半导体发光元件用的电极以及灯。该半导体发光元件包括基板、包含形成在上述基板上而成的发光层的层叠半导体层、形成在上述层叠半导体层的上表面的一个电极(111)、形成在将上述层叠半导体层的一部分切掉而成的半导体层暴露面上的另一个电极，一个电极(111)由接合层(110)和覆盖接合层(110)地形成的焊盘电极(120)构成，焊盘电极(120)的最大厚度形成得大于接合层(110)的最大厚度，且由一个或两个以上的层构成，在接合层(110)和焊盘电极(120)的外周部(110d)、(120d)分别形成膜厚朝向外周侧去逐渐变薄的倾斜面(110c)、(117c)、(119c)，通过使用该半导体发光元件，能够解决上述课题。

公开(公告)号：CN101971368A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108694.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈部健彦 ,  平岩大介 ,  中田正人 ,  三木久幸 ,  福永修大 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。