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公开(公告)号：CN103971706A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410028454.X
申请日：2014-01-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8408
Abstract: 一种磁记录介质的制造方法，在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层。其中，所述润滑层是按如下方式形成的，即：采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触的方式，在所述被积层体上涂敷第1润滑剂；之后，使用溶解于有机溶媒的第2润滑剂，在所述被积层体上涂敷润滑剂。
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公开(公告)号：CN102124574A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131958.1
申请日：2009-06-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的目的在于提供包括提高了接合性及耐腐蚀性的电极的半导体发光元件及其制造方法、半导体发光元件用的电极以及灯。该半导体发光元件包括基板、包含形成在上述基板上而成的发光层的层叠半导体层、形成在上述层叠半导体层的上表面的一个电极(111)、形成在将上述层叠半导体层的一部分切掉而成的半导体层暴露面上的另一个电极，一个电极(111)由接合层(110)和覆盖接合层(110)地形成的焊盘电极(120)构成，焊盘电极(120)的最大厚度形成得大于接合层(110)的最大厚度，且由一个或两个以上的层构成，在接合层(110)和焊盘电极(120)的外周部(110d)、(120d)分别形成膜厚朝向外周侧去逐渐变薄的倾斜面(110c)、(117c)、(119c)，通过使用该半导体发光元件，能够解决上述课题。
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公开(公告)号：CN101971368A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108694.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。
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公开(公告)号：CN103971705A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410028647.5
申请日：2014-01-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8408
Abstract: 一种磁记录介质的制造方法及装置，其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中，润滑层的形成是使形成了保护层后的被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第一润滑剂，在涂布了第一润滑剂后，使被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第二润滑剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103680526A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310410975.7
申请日：2013-09-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/85 , C23C14/564 , G11B5/8408
Abstract: 本公开提供了一种磁性记录介质的制造方法和装置。在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层，在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下，用气相润滑成膜方法形成所述润滑层，当所述保护层成膜时的工艺气体压力为Ｐ1，所述润滑层成膜时的工艺气体压力为Ｐ2时，在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上，设置满足Ｐ3＞Ｐ1、且Ｐ3＞Ｐ2的关系的气体压力Ｐ3的区域。根据本发明方法和装置，可以防止所形成的层的质量的下降，同时提高生产率。
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公开(公告)号：CN104103292A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410116219.8
申请日：2014-03-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/85
Abstract: 一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法。所述润滑层的形成包含：采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体。所述第1润滑剂的分子量低于所述第2润滑剂的分子量。所述第1润滑剂的极性高于所述第2润滑剂的极性。
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公开(公告)号：CN102113140A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130253.8
申请日：2009-06-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C14/022 , C23C14/0617 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率优异并且具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件以及灯。本发明提供的制造方法是在基板(11)上层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)，在该缓冲层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具备：对基板(11)进行等离子体处理的预处理工序；继预处理工序之后，在基板(11)上通过至少将金属Ga原料和含有V族元素的气体用等离子体活化而使其反应，以AlXGa1-XN(0≤X＜1)的组成形成缓冲层(12)的缓冲层形成工序；和在缓冲层(12)上形成基底层(14a)的基底层形成工序。
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公开(公告)号：CN104103292B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410116219.8
申请日：2014-03-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/85
Abstract: 一种在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法。所述润滑层的形成包含：采用汽相润滑成膜方法，以使形成了所述保护层后的被积层体不与大气接触的方式，将第1润滑剂涂敷至所述被积层体；及在涂敷了所述第1润滑剂后，采用汽相润滑成膜方法，以使所述被积层体不与大气接触的方式，将第2润滑剂涂敷至所述被积层体。所述第1润滑剂的分子量低于所述第2润滑剂的分子量。所述第1润滑剂的极性高于所述第2润滑剂的极性。
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公开(公告)号：CN104078057A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410112268.4
申请日：2014-03-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质的制造方法，其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
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