公开(公告)号：CN101971368A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108694.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈部健彦 ,  平岩大介 ,  中田正人 ,  三木久幸 ,  福永修大 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。