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公开(公告)号：CN109036474A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN103730135B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN109036474B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730135A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/7325 , G11B5/84
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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公开(公告)号：CN113053422A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011388537.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
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公开(公告)号：CN109979492B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN110517709A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
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公开(公告)号：CN108461094A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
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