发明授权
- 专利标题: 磁记录介质和磁存储装置
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申请号: CN201810521202.9申请日: 2018-05-28
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公开(公告)号: CN109036474B公开(公告)日: 2020-01-03
- 发明人: 日向慎太朗 , 齐藤伸 , 福岛隆之 , 大桥荣久 , 丹羽和也 , 张磊 , 村上雄二 , 柴田寿人 , 山口健洋 , 神边哲也 , 茂智雄
- 申请人: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 昭和电工株式会社,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人: 昭和电工株式会社,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 苗堃; 金世煜
- 优先权: 2017-113605 2017.06.08 JP
- 主分类号: G11B5/667
- IPC分类号: G11B5/667 ; G11B5/64
摘要:
一种磁记录介质,其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层,其中,所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物,所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层,平均厚度位于0.1nm~1nm的范围内,所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
公开/授权文献
- CN109036474A 磁记录介质和磁存储装置 公开/授权日:2018-12-18
IPC分类: