公开(公告)号：CN105229739A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201380075803.7

申请日：2013-11-14

申请人： 富士电机(马来西亚)有限公司

发明人： 永田德久

IPC分类号： G11B5/84

CPC分类号： C23C16/50 ,  G11B5/8408

摘要： 本发明的目的是提供一种用于制造较小厚度的保护膜的方法，其使得有可能同时防止该保护膜劣化并保持抗腐蚀性。根据本发明的用于制造含碳保护膜的该方法包括：(a)通过等离子体CVD方法使用含有碳氢化合物气体的起始材料气体在衬底上形成碳材料膜的步骤；以及(b)通过使用从具有阳极和阴极的等离子体CVD设备中的含氮起始材料气体产生的等离子体来氮化该碳材料膜并形成含碳保护膜的步骤。在步骤(b)中，阳极电位等于或大于20V；离子加速电位差在20V到120V的范围内；以及衬底电流密度在4×10-6A/mm2到8×10-6A/mm2的范围内。

公开(公告)号：CN104246885A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280072385.1

申请日：2012-10-29

申请人： 富士电机(马来西亚)有限公司

发明人： 永田德久

IPC分类号： G11B5/84

CPC分类号： G11B5/8408 ,  C23C16/276 ,  C23C16/50

摘要： 本发明提供用于产生保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质，该方法包括步骤：(a)提供形成在所述衬底上的磁性层；以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜，其中步骤(b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤(b-1)以及在该第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b-2)，步骤(b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0，并且步骤(b-2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。

公开(公告)号：CN105229739B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201380075803.7

申请日：2013-11-14

申请人： 富士电机(马来西亚)有限公司

发明人： 永田德久

IPC分类号： G11B5/84

摘要： 本发明的目的是提供一种用于制造较小厚度的保护膜的方法，其使得有可能同时防止该保护膜劣化并保持抗腐蚀性。根据本发明的用于制造含碳保护膜的该方法包括：(a)通过等离子体CVD方法使用含有碳氢化合物气体的起始材料气体在衬底上形成碳材料膜的步骤；以及(b)通过使用从具有阳极和阴极的等离子体CVD设备中的含氮起始材料气体产生的等离子体来氮化该碳材料膜并形成含碳保护膜的步骤。在步骤(b)中，阳极电位等于或大于20V；离子加速电位差在20V到120V的范围内；以及衬底电流密度在4×10‑6A/mm2到8×10‑6A/mm2的范围内。

公开(公告)号：CN104246885B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201280072385.1

申请日：2012-10-29

申请人： 富士电机(马来西亚)有限公司

发明人： 永田德久

IPC分类号： G11B5/84

CPC分类号： G11B5/8408 ,  C23C16/276 ,  C23C16/50

摘要： 本发明提供用于产生保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质，该方法包括步骤：(a)提供形成在所述衬底上的磁性层；以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜，其中步骤(b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤(b‑1)以及在该第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b‑2)，步骤(b‑1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0，并且步骤(b‑2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。