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公开(公告)号：CN117316882A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310579434.0
申请日：2023-05-22
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 片野智纪
IPC: H01L23/16 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供防止使用时的引线彼此接触的电力转换装置。电力转换装置(1)包括密封部件(8)，其密封壳体(4)的收纳区域(4e)，并包括位于比半导体单元(2b)所包含的引线(30c、30d)各自的顶点靠上方的密封界面。并且，电力转换装置(1)包括缓冲部件(6c)，其在俯视时沿预定方向延伸，在侧视时缓冲底面(6c3)位于比引线(30c、30d)的顶点靠上方的位置，且缓冲底面(6c3)位于比密封界面(8a)靠下方的位置。电力转换装置(1)驱动，例如施加电流而引线(30d)发热，由引线(30d)的热引起的引线(30d)周围的密封部件(8)的膨胀所造成的引线(30d)的扩展被缓冲部件(6)缓冲(限制)。
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公开(公告)号：CN104170014A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380014327.8
申请日：2013-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/26 , C23C16/36 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/8408
Abstract: 本发明涉及磁记录介质的制造方法，提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层，且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，该制造方法的特征在于，依次包括如下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成，更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
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公开(公告)号：CN104054129B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380005418.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 片野智纪
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有隔热性且使保护层厚度减小从而能够减小对于磁头的磁间距的记录介质。本发明的记录介质具备保护层，该保护层包括在磁性记录层上形成的硅氧化物层、在硅氧化物层上形成的硅层、和在硅层上形成的无定形碳层。硅氧化物层的厚度为0.3nm以上。硅层的厚度为0.2nm以上。无定形碳层的厚度为0.2nm以上。该保护层合计的厚度为1nm以上、2nm以下。该无定形碳层的含氢率为25.6at％以上、43.3at％以下。
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公开(公告)号：CN104685565A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051757.7
申请日：2013-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/72 , G11B5/8408
Abstract: 本发明的用于热辅助记录方式的磁记录介质具有在非磁性基板上的磁记录层和在所述磁记录层的上部的保护层。所述保护层包含：所述磁记录层的上部的第一下部保护层、所述第一下部保护层上的第一上部保护层、以及所述第一上部保护层上的第二保护层，所述第一下部保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分，所述第一上部保护层是由所述第一下部保护层的材料的氧化物构成的层。
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公开(公告)号：CN104170014B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201380014327.8
申请日：2013-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/26 , C23C16/36 , G11B5/72 , G11B5/82 , G11B5/8408
Abstract: 本发明涉及磁记录介质的制造方法，提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层，且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，该制造方法的特征在于，依次包括如下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成，更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
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公开(公告)号：CN104054129A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201380005418.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 片野智纪
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有隔热性且使保护层厚度减小从而能够减小对于磁头的磁间距的记录介质。本发明的记录介质具备保护层，该保护层包括在磁性记录层上形成的硅氧化物层、在硅氧化物层上形成的硅层、和在硅层上形成的无定形碳层。硅氧化物层的厚度为0.3nm以上。硅层的厚度为0.2nm以上。无定形碳层的厚度为0.2nm以上。该保护层合计的厚度为1nm以上、2nm以下。该无定形碳层的含氢率为25.6at％以上、43.3at％以下。
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