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公开(公告)号：CN116259598A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211317347.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/58
Abstract: 本发明提供一种半导体模块，抑制电气不良的发生。在第一绝缘片(23)与第二功率端子(25)之间，设置有与端子层叠部的层叠方向正交的平面方向的导热率比层叠方向的导热率高的热各向异性片(24)。由此，在通过激光焊接将连结部件(40)接合于第二功率端子(25)的正面时，能够抑制由激光产生的热向第一绝缘片(23)传导。因此，能够抑制第一绝缘片(23)产生损伤，维持第一功率端子(22)与第二功率端子(25)之间的绝缘性。
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公开(公告)号：CN115763466A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210906429.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L21/68 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/04 , H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/16 , H10B80/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高线键合的位置精度。半导体装置(1)具备：半导体元件(7)；控制端子(19)，其经由布线构件来与半导体元件的上表面电极电连接；以及外壳构件(4)，其与控制端子一体成型，所述外壳构件(4)划定出收容半导体元件的空间。控制端子具有成为布线构件的连接点的键合焊盘(19a)。外壳构件具有凸状的定位部(41d)，该定位部(41d)成为布线构件相对于焊盘的定位的基准点。
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公开(公告)号：CN116264219A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211333594.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离，从而能够提高绝缘性能。半导体装置具备：绝缘片，具有第一主表面和第二主表面；板状的第一端子，其与绝缘片的第一主表面相向地设置，该第一端子具有突出到绝缘片的第一主表面的外侧的第一突出部；以及板状的第二端子，其与绝缘片的第二主表面相向地设置，该第二端子具有与第一突出部并排地突出到绝缘片的第二主表面的外侧的第二突出部，在第一突出部的与绝缘片的端部相交的位置，设置有使与第二突出部相向的侧面向远离第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。
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公开(公告)号：CN116259583A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211317036.3
申请日：2022-10-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够维持连接端子之间的绝缘，并抑制半导体装置的增大。半导体装置具备：平板状的绝缘单元(30)，其设置于第一功率端子(21)与第二功率端子(22)之间；以及壳体(10)，其以使第一接合区域(21a)和第二接合区域(22a)露出的方式包含第一功率端子(21)和第二功率端子(22)，且接合有绝缘单元(30)。绝缘单元(30)具备片状的绝缘纸、以及覆盖绝缘纸的上表面和下表面中的至少一方的封装部。因此，绝缘单元(30)能够维持第一功率端子(21)与第二功率端子(22)之间的绝缘。
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公开(公告)号：CN116013888A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211062043.3
申请日：2022-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种能够可靠性高地降低开关损耗的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘电路基板(1)；功率半导体元件，其搭载在绝缘电路基板(1)上；平板状的第一端子(81)，其与功率半导体元件电连接，所述第一端子(81)具有第一主表面；第二端子(82)，其与功率半导体元件电连接，所述第二端子(82)具有与第一端子(81)的第一主表面相向的第二主表面；绝缘片(83)，其配置在第一主表面与第二主表面之间；以及导电膜(84、85)，其配置在绝缘片(83)的第一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。
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公开(公告)号：CN115527952A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210614095.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体模块，能够防止位于配置连接部的一侧的密封树脂的剥离，该连接部用于与半导体元件的连接。半导体模块具备外框、密封树脂、栅极信号输出端子以及分隔部，在所述分隔部配置有使连接部露出的状态的栅极信号输出端子，所述分隔部架设于外框来将空间分隔为多个收纳部。分隔部具有位于配置连接部的一侧的第一表面部、以及位于未配置连接部的一侧的第二表面部，所述第二表面部形成为相对于密封树脂的剥离强度比第一表面部的相对于密封树脂的剥离强度低。
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公开(公告)号：CN116013914A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211004673.5
申请日：2022-08-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/58 , H01L21/60
Abstract: 本发明实现能够确保绝缘距离并且降低电感的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块包括设置在第一壳体的第一绝缘纸、设置于它们之间的第一端子、以及设置在第一绝缘纸的与第一端子侧相反的一侧的第二端子。在俯视时，第一绝缘纸在方向上具有第一宽度，且具备更小的第二宽度的切口部。第一端子在俯视时以连接区域位于切口部的状态被第一绝缘纸覆盖，并在方向上具有比第一宽度小且比第二宽度大的第三宽度。第二端子位于比连接区域更靠壳体的内侧的位置。将第一端子设为比与连接区域和第二端子分别连接的电容器的正负极端子的宽度宽，确保绝缘距离并且降低电感。
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公开(公告)号：CN115483174A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210456739.8
申请日：2022-04-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/07 , H02M7/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体模块，能够实现电力被供给的端子的绝缘性的提高。半导体模块具备：负极端子，其与直流电力的负极性侧连接；正极端子，其以使负极端子的包括一端的露出部露出的状态配置于负极端子的上方，正极端子与直流电力的正极性侧连接；绝缘片，其以在负极端子的一端与正极端子的一端之间露出露出部的状态配置于负极端子与正极端子之间，将负极端子与正极端子绝缘；以及第一电介质部，其以至少覆盖正极端子的一端的与绝缘片接触的角部的方式形成。
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公开(公告)号：CN113053843A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011355736.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/16 , H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有能够降低电感的连接机构。电容器具有包括电容器元件的壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于第一连接端子与第二连接端子之间的第二绝缘片，第一连接端子、第二绝缘片和第二连接端子从壳体向外部延伸出。半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘片和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部。该第一功率端子具有与第一连接端子导电连接的第一接合区，该第二功率端子具有与第二连接端子导电连接的第二接合区，该第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。
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公开(公告)号：CN118355492A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202380014799.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明抑制焊接半导体模块的端子时的绝缘片的损伤。半导体模块(10A)具备从树脂壳体(11)向外侧延伸的绝缘片(14)、第一端子(13)以及第二端子(15)。第一端子(13)以在俯视时与绝缘片(14)重叠的方式配置于第一面(14a)侧，并具有与第一面(14a)分离的第一前端部(13a)。第二端子(15)以在俯视时与绝缘片(14)和第一端子(13)重叠的方式配置于第二面(14b)侧，并具有与第二面(14b)分离的第二前端部(15a)。绝缘片(14)从树脂壳体(11)延伸至比第一前端部(13a)和第二前端部(15a)更靠外侧的位置。对与绝缘片(14)分离的第一前端部(13a)和第二前端部(15a)进行焊接，抑制在焊接时绝缘片(14)产生损伤。
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