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公开(公告)号：CN116259583A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211317036.3
申请日：2022-10-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够维持连接端子之间的绝缘，并抑制半导体装置的增大。半导体装置具备：平板状的绝缘单元(30)，其设置于第一功率端子(21)与第二功率端子(22)之间；以及壳体(10)，其以使第一接合区域(21a)和第二接合区域(22a)露出的方式包含第一功率端子(21)和第二功率端子(22)，且接合有绝缘单元(30)。绝缘单元(30)具备片状的绝缘纸、以及覆盖绝缘纸的上表面和下表面中的至少一方的封装部。因此，绝缘单元(30)能够维持第一功率端子(21)与第二功率端子(22)之间的绝缘。
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公开(公告)号：CN104218032A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410232963.4
申请日：2014-05-29
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K1/117 , H01L24/01 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K1/0263 , H05K1/181 , H05K3/328 , H05K2201/10166 , H05K2201/10272 , H05K2201/10303 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，通过由具有功率半导体芯片等的多个半导体模块构成的半导体装置，从而作为半导体装置整体能够实现容许电流的大容量化，并且，通过在该半导体装置中以最优的方式进行接合来实施多个半导体模块的端子之间的连接。所述半导体装置包括：半导体模块10，外部连接端子从外壳突出；总线3A、3B、3C，将并列排列的多个所述半导体模块10的特定的外部连接端子16、17、18连结而进行电连接；以及半导体模块用外壳2，覆盖并固定通过所述总线3A、3B、3C而连结的多个所述半导体模块10，其中，总线3A、3B、3C和半导体模块的外部连接端子16、17、18通过激光焊接而接合。
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公开(公告)号：CN104218032B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410232963.4
申请日：2014-05-29
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K1/117 , H01L24/01 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K1/0263 , H05K1/181 , H05K3/328 , H05K2201/10166 , H05K2201/10272 , H05K2201/10303 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，通过由具有功率半导体芯片等的多个半导体模块构成的半导体装置，从而作为半导体装置整体能够实现容许电流的大容量化，并且，通过在该半导体装置中以最优的方式进行接合来实施多个半导体模块的端子之间的连接。所述半导体装置包括：半导体模块10，外部连接端子从外壳突出；总线3A、3B、3C，将并列排列的多个所述半导体模块10的特定的外部连接端子16、17、18连结而进行电连接；以及半导体模块用外壳2，覆盖并固定通过所述总线3A、3B、3C而连结的多个所述半导体模块10，其中，总线3A、3B、3C和半导体模块的外部连接端子16、17、18通过激光焊接而接合。
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公开(公告)号：CN103930990B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280055469.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/76877 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/13011 , H01L2224/13015 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16235 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/81898 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能以较好的生产性来制造使植入基板与半导体搭载基板的半导体元件经由植入引脚相接合并电连接的半导体装置。在该半导体装置中，经由压入植入引脚半导体搭载基板的半导体元件(8)及/或电路图案(5)相接合。并且，植入引脚(20)的压入筒状端子(10)的压入深度L2可以调整。由此，使得处于被压入筒状端子(10)的状态的植入引脚(20)与筒状端子(10)的总长度与半导体搭载基板上的半导体元件(8)及/或电路图案(5)和植入基板(30)之间的距离相匹配。(20)的另一端的筒状端子(10)，植入引脚(20)与
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公开(公告)号：CN104103611A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410136723.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/603 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开一种加压加热接合结构及加压加热接合方法。所述的一种加压加热接合结构，将使用金属微粒作为接合材料而将两个部件加压加热接合，其中，将线膨胀系数不同的第一部件（14）与第二部件（4A）配置成使产生于该第一部件与第二部件之间的热应力作为加压力作用于两个部件的接合面（F2），并在将所述金属微粒设置在所述接合面之间的状态下升温而将所述第一部件与所述第二部件加压加热接合。根据本发明，即使在与加压方向正交的接合面上也能有效地进行加压加热接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116013914A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211004673.5
申请日：2022-08-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L23/58 , H01L21/60
Abstract: 本发明实现能够确保绝缘距离并且降低电感的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块包括设置在第一壳体的第一绝缘纸、设置于它们之间的第一端子、以及设置在第一绝缘纸的与第一端子侧相反的一侧的第二端子。在俯视时，第一绝缘纸在方向上具有第一宽度，且具备更小的第二宽度的切口部。第一端子在俯视时以连接区域位于切口部的状态被第一绝缘纸覆盖，并在方向上具有比第一宽度小且比第二宽度大的第三宽度。第二端子位于比连接区域更靠壳体的内侧的位置。将第一端子设为比与连接区域和第二端子分别连接的电容器的正负极端子的宽度宽，确保绝缘距离并且降低电感。
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公开(公告)号：CN104103611B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201410136723.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/603 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开一种加压加热接合结构及加压加热接合方法。所述的一种加压加热接合结构，将使用金属微粒作为接合材料而将两个部件加压加热接合，其中，将线膨胀系数不同的第一部件（14）与第二部件（4A）配置成使产生于该第一部件与第二部件之间的热应力作为加压力作用于两个部件的接合面（F2），并在将所述金属微粒设置在所述接合面之间的状态下升温而将所述第一部件与所述第二部件加压加热接合。根据本发明，即使在与加压方向正交的接合面上也能有效地进行加压加热接合。
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公开(公告)号：CN105103279B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201480019763.9
申请日：2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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公开(公告)号：CN105103279A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019763.9
申请日：2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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公开(公告)号：CN103930990A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280055469.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/76877 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/13011 , H01L2224/13015 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16235 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/81898 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能以较好的生产性来制造使植入基板与半导体搭载基板的半导体元件经由植入引脚相接合并电连接的半导体装置。在该半导体装置中，经由压入植入引脚(20)的另一端的筒状端子(10)，植入引脚(20)与半导体搭载基板的半导体元件(8)及/或电路图案(5)相接合。并且，植入引脚(20)的压入筒状端子(10)的压入深度L2可以调整。由此，使得处于被压入筒状端子(10)的状态的植入引脚(20)与筒状端子(10)的总长度与半导体搭载基板上的半导体元件(8)及/或电路图案(5)和植入基板(30)之间的距离相匹配。
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