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公开(公告)号：CN110246772A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910529230.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线(7)。就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金膜。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105047572A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510101427.5
申请日：2015-03-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/78 , B23K20/004 , B23K20/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/05599 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/78252 , H01L2224/78313 , H01L2224/78353 , H01L2224/78611 , H01L2224/789 , H01L2224/85048 , H01L2224/85099 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85399 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 提供一种能够将直径500μm以上且600μm以下的引线接合到半导体元件上的电极的引线接合装置以及引线接合方法。在本发明的引线接合装置、即通过引线接合来对电极与铝合金制的引线进行电连接的引线接合装置(100)中，具备：引线提供装置(10)，其用于提供直径500μm以上且600μm以下的引线(6)；加热装置(11)，其用于将引线(6)加热到50℃以上且100℃以下；加压装置(12)，其用于在电极(2、7)处对引线(6)进行加压；以及超声波产生装置(13)，其用于对由加压装置(12)加压后的引线(6)施加超声波振动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105190858A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480012154.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05541 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4851 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01026 , H01L2924/0104 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076
Abstract: 本发明提供一种通过引线(7)电连接半导体元件与电路层的模块结构的半导体装置，在半导体元件的正面电极(12)的表面形成正面金属膜(14)，在该正面金属膜(14)上通过引线键合而接合有引线(7)。正面金属膜(14)的硬度比正面电极(12)或引线(7)的硬度高。如此，能够提高半导体装置的功率循环能力。
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公开(公告)号：CN105027272A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011844.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/607
Abstract: 本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线(7)。就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105047572B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510101427.5
申请日：2015-03-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/78 , B23K20/004 , B23K20/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/05599 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/78252 , H01L2224/78313 , H01L2224/78353 , H01L2224/78611 , H01L2224/789 , H01L2224/85048 , H01L2224/85099 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85399 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 提供一种能够将直径500μm以上且600μm以下的引线引线接合到半导体元件上的电极的引线接合装置以及引线接合方法。在本发明的引线接合装置、即通过引线接合来对电极与铝合金制的引线进行电连接的引线接合装置(100)中，具备：引线提供装置(10)，其用于提供直径500μm以上且600μm以下的引线(6)；加热装置(11)，其用于将引线(6)加热到50℃以上且100℃以下；加压装置(12)，其用于在电极(2、7)处对引线(6)进行加压；以及超声波产生装置(13)，其用于对由加压装置(12)加压后的引线(6)施加超声波振动。
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公开(公告)号：CN105103279B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201480019763.9
申请日：2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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公开(公告)号：CN105103279A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019763.9
申请日：2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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