公开(公告)号：CN115565899B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202211180796.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 上海创贤半导体有限公司

Inventor： 张畅 ,  游海涛

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种功率半导体引线键合机精确标定切刀深度的方法，包含以下步骤：S1：使用镊子将铝线从铝线送线管中拔出；S2：使焊接头自动下压至适当位置；S3：再次控制焊接头逐步向下行走，直到劈刀将铝线切断后停止；S4：此时劈刀的下行量为切线深度。本发明所述的一种功率半导体引线键合机精确标定切刀深度的方法，通过位移传感器的预设高度为基础，在此基础上进行下行行走，最终以切断铝线为目标，获取切线深度相对于下行固定深度进行切线，切线效果与可靠性更高，避免切不断或损伤晶圆的问题。

公开(公告)号：CN112271141B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202011145278.X

申请日：2020-10-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 罗皓泽 ,  高洪艺 ,  周宇 ,  谢刚 ,  李武华 ,  何湘宁

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/607 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种一种双面散热功率半导体模块及制造方法，属于半导体技术领域。半导体模块由上层绝缘衬板、下层绝缘衬板、功率半导体芯片、金属垫片、铝丝、功率端子和信号端子组成；功率半导体芯片与下层绝缘衬板通过预成型焊片接合，将功率半导体芯片放至在预成型焊片上方后，在功率半导体芯片表面施加预应力压块后进行回流焊接；功率端子和信号端子与下层绝缘衬板先通过超声键合焊接，在功率端子和信号端子的引脚周围涂覆焊膏后再进行回流焊接。本发明提供的双面散热功率半导体模块的制造方法提升了焊接后芯片高度的一致性，降低了焊接空洞率，确保了端子与绝缘衬板间的连接强度，并解决了超声键合工艺导致的绝缘衬板陶瓷层破裂问题。

公开(公告)号：CN118522684A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410607661.4

申请日：2024-05-16

Applicant: 扬州国扬电子有限公司

Inventor： 张卫军 ,  杨阳 ,  郝凤斌 ,  肖建祥

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/607 ,  B25B11/00

Abstract: 本发明公开了一种适用于多种封装模块的键合夹具，涉及键合夹具技术领域。该键合夹具包括键合平台，键合平台上贯穿开设有两个相互平行的压槽，两个压槽的边缘均设有螺纹孔连接安装轴承座，相应的两个轴承座上对应安装有直线轴承；本发明通过调节夹具中螺钉，改变部件之间距离，从而使部件之间的间距适应不同封装模块的尺寸，可以适配多种不同封装模块。对于键合工序而言,不同的封装模块均需要专用夹具，此夹具可以适配多种不同的封装模块，不再需要专用夹具，减小了生产成本。

公开(公告)号：CN118455054A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410694643.4

申请日：2024-05-31

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 隆志力 ,  姚勉 ,  李洪泉 ,  叶书苑

IPC: B06B3/00 ,  G06F17/10 ,  H01L21/607

Abstract: 本申请涉及一种超声换能器等效参数数值的确定方法及系统。超声换能器等效参数数值的确定方法包括：基于预设的超声换能器的工作参数驱动超声换能器；获取超声换能器的阻抗数值；基于第一预设算法和阻抗数值确定超声换能器的第一等效参数数值；基于第二预设算法和第一等效参数数值确定超声换能器的第二等效参数数值，第二等效参数数值的精度大于第一等效参数数值。通过第一预设算法和阻抗数值确定超声换能器的第一等效参数数值，从而获得超声换能器的工作状态，进而可以依据工作状态调节超声换能器，最终可以更精准地控制引线键合，提高芯片封装精准度。

公开(公告)号：CN118263144A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410691844.9

申请日：2024-05-31

Applicant: 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司

Inventor： 殷季菁

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明提供一种获得铝包铜线引线键合的最优键合参数的方法，包括：确定键合力、键合功率、键合时间的取值范围；确定其他键合参数的取值；根据键合力、键合功率、键合时间的取值范围进行试验设计；根据试验设计确定的键合力、键合功率、键合时间的取值与其他键合参数的取值进行铝包铜线引线键合；根据引线键合效果确定最优键合力、键合功率、键合时间的取值；根据最优键合力、键合功率、键合时间和除起始键合力外其他键合参数，改变起始键合力的取值，进行引线键合；根据引线键合效果确定最优起始键合力的取值。采用该方法可获得使铝包铜线引线键合的结合强度更稳定，键合点及其颈部的完整性更强，铝包铜键合质量更稳定的键合参数。

公开(公告)号：CN112997307B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202080005972.3

申请日：2020-03-12

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 麦可·柯比 ,  金城隆也 ,  宗像広志

IPC: H01L25/065 ,  H10B80/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明提供一种打线失败检查系统、检测装置装置及检测装置方法。半导体装置(10)的打线失败检查系统(100)包括超声波振荡器(40)、超声波振子(42)、照相机(45)、显示器(48)以及控制部(50)，控制部(50)算出所拍摄的动态图像的一个帧与其以前的前帧的图像的差量，使差量超过规定的阈值的打线的图像显示与其他打线的图像显示不同并显示于显示器。

公开(公告)号：CN117810147B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410234113.1

申请日：2024-03-01

Applicant: 精技电子(南通)有限公司

Inventor： 於叶龙 ,  邹斌 ,  沈培培

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明公开了一种引线键合机用芯片定位装置，应用于引线键合机用芯片定位技术领域，其中连接板、定位机构和定位装置控制系统，其特征在于：所述定位装置控制系统包括有数据采集模块、逻辑判断模块和定位处理模块；所述数据采集模块包括有拍摄子模块、路径生成子模块、储存子模块，所述拍摄子模块设置于引线键合机上，用于在引线键合机工作时拍摄芯片基板照片，所述路径生成子模块用于生成引线键合机的工作路径，所述储存子模块与拍摄子模块为电连接，用于接收加工时芯片基板的照片；所述储存子模块包括有位置识别单元，所述位置识别单元用于记录基板上芯片的位置，该装置解决了当前不能保证金属引线与基板焊盘的焊接位置的问题。

公开(公告)号：CN118136530A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311720816.7

申请日：2023-12-14

Applicant: 安徽熙泰智能科技有限公司

Inventor： 李雪原 ,  刘成元 ,  岳小帅 ,  刘胜芳 ,  赵铮骁 ,  赵铮涛

IPC: H01L21/607 ,  H10K71/00 ,  B23K31/02

Abstract: 本发明公开了一种瓷嘴结构，包括瓷嘴本体和设置于所述瓷嘴本体上且用于将第一材料涂覆在穿过瓷嘴本体的第一穿线孔的金属线表面上的材料涂覆机构，以在涂覆第二材料前，由第一材料在金属线表面上形成缓冲层。本发明的瓷嘴结构，可以在金属线表面覆盖特定材料，该材料与金线保护胶具有不兼容性，使得在金属线与金线保护胶之间形成微观界面空腔，金线保护胶的形变不会影响金属线的形状，从而提高产品的可靠性。本发明还公开了一种打线键合方法、元件连接结构及Micro OLED显示装置。

公开(公告)号：CN118043949A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202180102900.5

申请日：2021-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木得未

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明的一个方式涉及的楔形工具用于通过按压金属导线(2)、施加超声波振动而将金属导线(2)接合至被接合体(6)的楔形键合，其具有：导线保持槽(3)，其在楔形工具的前端部(1)沿金属导线(2)的长度方向延伸，保持金属导线(2)；以及凸部(8)，其在导线保持槽(3)的槽底部(5)至少形成2个，以侧面与导线保持槽(3)的侧壁(4)分离的方式在金属导线(2)的长度方向上排列。由此，通过对在金属导线(2)形成的接触痕迹(9)、而不是被按压而发生了变形的金属导线(2)的外观形状进行检查，从而能够确认是否向被接合体(6)施加了过大的力，因此能够抑制检查精度的降低。

公开(公告)号：CN118039509A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410174466.7

申请日：2018-03-14

Applicant: 库利克和索夫工业公司

Inventor： R·N·希拉克 ,  D·A·迪安杰利斯 ,  H·克劳贝格

IPC: H01L21/607

Abstract: 一种对半导体元件进行超声键合的方法，包括以下步骤：(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准；(b)在所述第一导电结构中的若干个第一导电结构与所述第二导电结构中的相应若干个第二导电结构之间超声地形成定位键合部；以及(c)在所述第一导电结构和所述第二导电结构之间形成完整键合部。