一种用于高压二极管等离子抽取渡越振荡分析的建模方法

    公开(公告)号:CN114266214A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111578702.4

    申请日:2021-12-22

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种用于高压二极管等离子抽取渡越振荡分析的建模方法,具体包括如下步骤:S1:根据二极管数据手册确定器件内部参数,并由运行工况获取反向恢复阶段内部载流子和空间电荷区运行规律。S2:根据模块封装结构提取内部分布寄生参数。S3:根据反向恢复阶段载流子运动规律利用各部分电压‑电流关系建立器件等效集总电路模型,并得到模型中各参数的动态变化规律。S4:结合外部电路参数建立计及二极管‑外部电路的回路集总参数模型,利用交流小信号响应曲线描述等离子体抽取渡越振荡特征。本发明提出的集总电路建模方法计及器件结构参数‑外部电路‑运行工况的影响,可复现二极管等离子体抽取渡越振荡现象,分析振荡的产生机理及影响因素。

    一种压变型压接式封装功率模块及其热阻网络模型建模方法

    公开(公告)号:CN112290773B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202011176936.1

    申请日:2020-10-29

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种压变型压接式封装功率模块及其热阻网络模型建模方法,所述压变型压接式封装功率模块包括自上而下依次设置的集电极散热器、集电极绝缘膜、集电极铜排、并联的通流芯片单元、绝缘压载夹具、铜排间绝缘膜、发射极铜排、发射极绝缘膜和发射极散热器;所述热阻建模方法利用线性网络中多端口拓扑的等效转换法则,将复合型热阻网络进行解耦,得到芯片自热等效热阻抗和芯片间耦合等效热阻抗;本发明采用了压力可变的压接式封装结构,实现了宽范围压力可调的压接封装,解决了现有压接封装功率模块压力难以灵活调整的问题,并建立了该模块对应的压变型热阻网络及其等效简化模型,反映了压接式封装功率模块中的芯片结温运行及耦合规律。

    一种功率半导体模块寄生电感建模提取方法

    公开(公告)号:CN113065309A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110301380.2

    申请日:2021-03-22

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G06F30/398

    摘要: 本发明公开了一种功率半导体模块寄生电感的建模提取方法,包括以下步骤:S1、将模块金属层划分为直行区、注入区和转向区;S2、分别使用相交线元、并联微元和十字微元对键合线及上述区域进行离散,生成离散电路;S3、从芯片电极将离散电路分为多个子网络;S4、对电路矩阵进行预处理分解,求解端口阻抗矩阵;S5、提取并联芯片的端口元素,计算电感分布;S6、设置芯片端口联通,计算模块换流和驱动电感。本发明通过对功率模块内部线路的分区离散,可减少离散电路规模,同时将芯片端口阻抗矩阵作为中间模型,并结合矩阵预处理技术求解其参数,可避免对离散电路的重复处理,最终在不降低精度的前提下实现了模块内分布电感和整体电感的快速计算。

    一种压变型压接式封装功率模块及其热阻网络模型建模方法

    公开(公告)号:CN112290773A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011176936.1

    申请日:2020-10-29

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种压变型压接式封装功率模块及其热阻网络模型建模方法,所述压变型压接式封装功率模块包括自上而下依次设置的集电极散热器、集电极绝缘膜、集电极铜排、并联的通流芯片单元、绝缘压载夹具、铜排间绝缘膜、发射极铜排、发射极绝缘膜和发射极散热器;所述热阻建模方法利用线性网络中多端口拓扑的等效转换法则,将复合型热阻网络进行解耦,得到芯片自热等效热阻抗和芯片间耦合等效热阻抗;本发明采用了压力可变的压接式封装结构,实现了宽范围压力可调的压接封装,解决了现有压接封装功率模块压力难以灵活调整的问题,并建立了该模块对应的压变型热阻网络及其等效简化模型,反映了压接式封装功率模块中的芯片结温运行及耦合规律。

    一种大功率IGBT模块运行结温的在线检测系统及其检测方法

    公开(公告)号:CN105910730B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201610308898.8

    申请日:2016-05-10

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G01K13/00 G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种大功率IGBT模块运行结温的在线检测系统及其检测方法,其利用具有近似线性负温度依耐性的IGBT模块最大集电极电流下降率作为器件的结温传感参量,并结合目前主流大功率IGBT模块的开尔文发射极封装概念,在IGBT模块的关断过程中,将大集电极电流变化信息转化成器件内部杂散电感上的感应电压信息。本发明不需要额外的高压无源辅助元件,在驱动电路发送关断信号的同时,开始捕获IGBT模块集电极电流变化率引起的感应电压,并提取其峰值,具有较高的精度和实时性。

    基于中点移位控制的MMC热应力不均平抑方法

    公开(公告)号:CN108322075A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810085047.0

    申请日:2018-01-29

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: H02M7/483

    CPC分类号: H02M7/483 H02M2007/4835

    摘要: 本发明公开了一种基于中点移位控制的MMC热应力不均平抑方法,该方法在电网发生不对称接地故障时通过中点移位,改变MMC交流侧输出电压来平衡三相桥臂直流电流,从而使三相的开关器件损耗趋于一致,达到平衡子模块热应力的目的。本发明方法在保证MMC传输功率不变,维持交流侧电流原始输出条件下,平衡不对称接地故障情况下换流器三相桥臂直流电流,显著降低各相子模块开关器件热应力差异,提升MMC系统在电网不对称接地故障下的可靠性。

    WIFI电子内窥镜装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104799800A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201510128537.0

    申请日:2015-03-24

    申请人: 浙江大学

    发明人: 王立强 周宇 袁波

    IPC分类号: A61B1/04

    摘要: 本发明公开的WIFI电子内窥镜装置包括:具有摄像头和照明光源的摄像组件、通讯单元和封装在手柄中的图像信号处理模块,图像处理模块包括图像处理电路和USB视频采集卡,通讯单元包括WIFI信号收发模块及充电接口。由图像处理电路将接收的摄像头成像数据信号转化为PAL/NTSC制式视频,再由USB视频采集卡转为MJPEG/AVI数据压缩格式传输给WIFI信号收发模块,WIFI信号收发模块把视频数据实时传输到外部智能终端的信号接收模块。本发明通过WIFI信号传输方式代替线缆传输,小巧便携,成本较低,方便将内窥镜的视频图像传输到手机、平板或电脑,实现远程医疗,大大节约了就诊的宝贵时间。

    一种用于功率循环测试的功率器件老化参数校正方法

    公开(公告)号:CN114217261B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202111533515.4

    申请日:2021-12-15

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G01R35/04

    摘要: 本发明公开了一种用于功率循环测试的功率器件老化参数校正方法,包括以下步骤:S1、对老化特征参数的采集时序进行设计;S2、在功率循环的每个测试周期对老化参数进行采集,刻画出原始的老化参数退化曲线;S3、每隔固定的功率循环测试周期,对各个老化参数的温敏特性进行测量。在功率循环测试结束后,利用数据拟合等方法得到不同阶段的老化参数的温敏系数;S4、利用老化参数采集时刻的温度和老化参数的温敏系数对老化参数退化曲线进行温度解耦校正。本发明解决了传统功率循环测试中得到的老化参数退化曲线同时耦合了老化和温度变化影响的问题,利用老化参数自身的温敏特性进行了温度解耦校正,从而得到更真实的老化参数退化曲线。

    一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法

    公开(公告)号:CN112699588B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202110025236.0

    申请日:2021-01-08

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种功率半导体芯片元胞的热电耦合建模方法,包括以下步骤:S1、将功率半导体芯片划分为多元胞结构;S2、提取芯片的电压‑电流‑温度三维模型;S3、提取元胞的电压‑电流‑温度三维模型;S4、求出任一温度分布下元胞电流分配比例和相应损耗;S5、各元胞产生温升叠加得到芯片整体温度梯度;S6、重复步骤S4、S5直至温度梯度偏差收敛;S7、提取不同工况条件下的芯片表面温度峰值,计算对应的功率模块热阻。本发明通过将芯片集总式傅里叶级数解析热模型与多元胞分布式电学模型进行结合,实现了功率半导体芯片元胞的热电耦合建模与计算。另外,本发明所需计算量小、求解时间短、不存在收敛性问题,特别适合功率半导体芯片温度的在线预测。

    一种功率半导体模块衬底优化设计方法

    公开(公告)号:CN113065307A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110301447.2

    申请日:2021-03-22

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种功率半导体模块衬底优化设计方法,包括以下步骤:S1、将衬底设计所需芯片参数和设计规则作为设计输入;S2、读取衬底范式库;S3、将范式编号、回路数量、芯片间距和布线宽度组成遗传序列,产生初始种群;S4、生成衬底布图;S5、计算布图面积和换流电感;S6、以布图面积和换流电感最小为目标,产生子代种群;S7、跳转至S3进行迭代,直到最大迭代次数K,获取帕累托前沿解作为结果输出。本发明的主要特征是以布图范式库为基础,使用简洁变量构成的遗传序列生成衬底布图,再基于遗传算法计算面积和换流电感最低的布图方案。相比现有使用位置编码的优化方法,可避免设计规则检查,缩小搜索范围,实现功率模块布局的紧凑低感优化。