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1.

发明公开
复合焊球、半导体封装、半导体装置及制造方法无效

公开(公告)号：CN105977231A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510918380.1

申请日：2015-12-10

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 郑道 , 许文松 , 林世钦

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/30 , B23K2101/40 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/014 , H01L2924/1434 , H01L2924/15331 , H01L2924/2076 , H01L2924/00

摘要： 本发明实施例提供了一种复合焊球、半导体封装、半导体装置及制造方法，能够防止复合焊球的变形。其中该复合焊球包含：核心，包封层以及阻挡层，该阻挡层设置在该核心与该包封层之间；其中，该阻挡层的熔点高于该核心的熔点，该核心的熔点高于该包封层的熔点。

2.

发明授权
电子元件的安装方法及安装基板有权

公开(公告)号：CN102349141B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080011333.4

申请日：2010-02-25

申请人： 纳美仕股份有限公司

发明人： 铃木理 , 石川诚一 , 吉井东之

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： C08G59/42 , C08G59/50 , C08G59/68 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/136 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00

摘要： 在电子元件的倒装芯片安装中，在元件和基板之间填充底部填充材料，从而可以缓解热应力等。在以往的使用铜柱的电子元件的安装中，存在含在底部填充材料中的填料在树脂的加热固化工序中分离的问题。本发明中采用了对铜柱的表面镀焊料。可以防止因异种金属的接触形成的局部电池的电场造成带电的填料在底部填充材料中移动，从而可以防止连接部产生裂纹。本发明具有提高连接可靠性的效果。

3.

发明公开
利用倒装芯片工艺的管芯与引线框的互连有权

公开(公告)号：CN101572240A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200810176936.4

申请日：2008-08-12

申请人： 捷敏服务公司

发明人： M·艾斯拉米 , A·C·特苏

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/495

CPC分类号： H01L24/81 , H01L23/4952 , H01L23/49558 , H01L23/49572 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05655 , H01L2224/10175 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1319 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13599 , H01L2224/16245 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81411 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 依照本发明的实施例涉及倒装芯片封装中避免由焊料回流产生的焊料连接体形状变形问题的技术。在一个实施例中，在邻近焊料处形成焊料排斥表面以限制回流，并因此保持焊料的垂直轮廓。这样的焊料排斥表面的实例包括引线框的氧化物(例如棕色氧化物)或带(例如Kapton)，所述带于封装步骤前在引线上用作阻挡棒来控制/限制焊料流动。在另一个实施例中，焊料连接体可以由至少两个元件形成。第一元件可以在高温下回流以在焊球和管芯之间提供必要的粘附，而第二元件在较低温度下回流以在焊球和引线之间提供必要的粘附。这样的多元件连接体的实例包括成对的第一高温回流焊球与第二低温回流焊料。另一个例子包括具有硬核(例如铜、不锈钢或在高温下稳定的塑料材料)的焊球，硬核被涂覆有较低温回流材料。

4.

发明公开
半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构有权

公开(公告)号：CN107994002A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711337277.3

申请日：2015-03-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 , 陈家庆 , 丁一权

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。

5.

发明公开
具有自填充阳性特征的多芯片模块有权

公开(公告)号：CN105144359A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480014639.3

申请日：2014-02-20

申请人： 甲骨文国际公司

发明人： H·D·塞科 , A·V·克里什纳莫西 , J·E·坎宁安 , 张朝齐

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/29 , H01L23/31 , B23K3/06 , H01L21/02 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L21/683

CPC分类号： H01L24/14 , B23K3/0623 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/74 , H01L24/81 , H01L24/98 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03452 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05686 , H01L2224/11005 , H01L2224/11013 , H01L2224/11015 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13686 , H01L2224/17517 , H01L2224/742 , H01L2224/81002 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2224/05552

摘要： 描述了多芯片模块(MCM)。这种MCM包括至少两个基板，其中基板通过基板的面对的表面上的阳性特征和阴性特征机械耦合并对准。这些阳性特征和阴性特征可以彼此配对并自锁定。阳性特征可以利用阴性特征中的亲水层自填充到至少一个基板上的阴性特征中。这种亲水层可以结合包围至少一个基板的顶表面上的阴性特征的疏水层来使用。

6.

发明公开
管芯底部填充结构和方法有权

公开(公告)号：CN103681455A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310384698.7

申请日：2013-08-29

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： K·P·瓦赫莱尔

IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/92 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83395 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/1461 , H01L24/14 , H01L2224/13561 , H01L2224/27 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/00

摘要： 本申请涉及管芯底部填充结构和方法。一种将具有从其一个面112突出的多个铜柱（CuP）114的IC晶片100附接到在其一个面132上具有多个接触焊盘134的衬底130的方法包括：将其中具有大量填料颗粒126的膜层124施加到晶片100的所述一个面112；将其中基本不具有填料颗粒的甲阶树脂122施加到衬底130的所述一个面132；以及将所述膜层124与所述甲阶树脂122接合。

7.

发明公开
芯片的安装构造以及具有该芯片的安装构造的模块无效

公开(公告)号：CN102428375A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200980159282.7

申请日：2009-05-21

申请人： 松下电工株式会社

发明人： 林真太郎 , 植田充彦 , 佐名川佳治 , 酒井孝昌

IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/12 , G01P15/18 , H01L29/84 , H01L21/60

CPC分类号： G01P15/123 , B81B7/0048 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/0842 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13191 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13691 , H01L2224/14155 , H01L2224/14165 , H01L2224/14179 , H01L2224/16145 , H01L2224/1703 , H01L2224/29191 , H01L2224/321 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81862 , H01L2224/83 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15165 , H01L2924/181 , H01L2924/0715 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012

摘要： 本发明的芯片的安装构造由具有基座的基板、配置在该基座上表面侧的第一芯片、用于使该第一芯片与上述基座粘接的粘接剂构成。上述基座在其上表面配置有上述粘接剂。第一芯片形成为矩形，具有宽度和长度，其下表面通过上述粘接剂与上述基座粘接。粘接剂仅由第一粘接剂、第二粘接剂和第三粘接剂构成，它们仅配置在上述基座上表面的3点，该基座上表面的3点排列成三角形的顶点。第一芯片仅通过上述第一粘接剂、上述第二粘接剂和上述第三粘接剂与上述基座粘接。

8.

发明授权
软钎料材料、焊料接头及软钎料材料的制造方法有权

公开(公告)号：CN106536124B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480080357.3

申请日：2014-08-29

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇 , 川又勇司

IPC分类号： B23K35/26 , B22F1/00 , B22F1/02

CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/02 , B22F2999/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/365 , C22C13/00 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C28/04 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11318 , H01L2224/1182 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13561 , H01L2224/13687 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/0544 , C22C1/0483

摘要： 本发明提供可以抑制氧化膜生长的软钎料材料。作为软钎料材料的焊料球1A由软钎料层2和覆盖软钎料层2的覆盖层3构成。软钎料层2为球状，由如下金属材料构成，该金属材料由Sn含量为40％以上的合金构成。或者软钎料层2由Sn含量为100％的金属材料构成。覆盖层3在软钎料层2的外侧形成SnO膜3a，且在SnO膜3a的外侧形成SnO2膜3b。覆盖层3的厚度大于0nm且为4.5nm以下是优选的。另外，焊料球1A的黄色度为5.7以下是优选的。