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公开(公告)号：CN111344106A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880073066.X
申请日：2018-11-21
申请人： 千住金属工业株式会社
摘要： 本发明的目的在于，提供：变色少、湿润性也良好、循环特性等可靠性高、形成焊膏时的经时的粘度上升小的软钎料材料。本申请发明的软钎料材料的特征在于，包含：Sn或Sn系合金、和40-320质量ppm的As，且具有As富集层。
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公开(公告)号：CN109551134A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811611920.1
申请日：2012-12-06
申请人： 千住金属工业株式会社
摘要： 提供即使含有一定量以上的Cu以外的杂质元素，也α射线量少且球形度高的铜球。为了抑制软错误并减少连接不良，即使将U和Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.995％以下，α射线量也为0.0200cph/cm2以下。此外，预料之外的是，通过将纯度设为99.995％以下，使得铜球的球形度提高。
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公开(公告)号：CN105980087A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074919.3
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2101/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81011 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/0106 , H01L2924/01071 , H01L2924/01069 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01059 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01052 , H01L2924/01076 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01004
摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。
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公开(公告)号：CN105873716A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480072248.7
申请日：2014-11-04
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B23K35/14 , B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/22 , B23K35/26 , C22C13/00 , H01L21/60 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC分类号： B23K35/302 , B22F1/00 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C13/00 , C23C28/021 , C25D3/60 , C25D7/00 , H01L23/556 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/11825 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81048 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81395 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H05K3/3463 , H05K2201/0218 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01026 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01044 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012 , H01L2924/013
摘要： 本发明提供能得到落下强度和针对热循环的强度的Cu芯球、Cu芯柱。Cu芯球(1)具备：由Cu或Cu合金构成的Cu球(2)；和由含有Sn和Cu的软钎料合金构成且覆盖Cu球(2)的焊料层(3)，焊料层(3)含有0.1％以上且3.0％以下的Cu，余量由Sn和杂质构成。
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公开(公告)号：CN104837579A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201280077545.1
申请日：2012-12-06
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/08 , B22F9/14 , B22F9/30 , B23K35/14 , C22F1/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , H01L21/60
CPC分类号： H05K3/3484 , B22F1/0007 , B22F1/0048 , B22F1/02 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/302 , C22C9/00 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L2924/0002 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , H01L2924/00
摘要： 提供即使含有一定量以上的Cu以外的杂质元素，也α射线量少且球形度高的铜球。为了抑制软错误并减少连接不良，即使将U和Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.995％以下，α射线量也为0.0200cph/cm2以下。此外，预料之外的是，通过将纯度设为99.995％以下，使得铜球的球形度提高。
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公开(公告)号：CN104816105A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510058686.4
申请日：2015-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/01028 , H01L2924/00011
摘要： 本发明提供抑制软错误的产生、设为在安装处理中不会成为问题的接合熔融温度的低α射线量的芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。所述芯球作为核的金属粉为球体，作为金属粉使用Cu球时的纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量为1ppm以上，Cu球的球形度为0.95以上。覆盖于Cu球的焊料镀覆膜为Sn-Bi系合金。焊料镀覆膜中所含的U为5ppb以下、Th为5ppb以下。芯球的α射线量为0.0200cph/cm2以下。
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公开(公告)号：CN109693054A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811242303.9
申请日：2018-10-24
申请人： 千住金属工业株式会社
摘要： 芯材料和钎焊接头和凸块电极的形成方法。提供软钎料镀覆层中的Sb均匀、Sb浓度比成为规定范围内的芯材料。芯材料在芯(12)表面镀覆覆膜有包含Sn和Sb的(Sn-Sb)系软钎料合金，软钎料镀覆层(16)中的Sb以规定范围的浓度比率分布于软钎料镀覆层中，Sb以浓度比率为70.0～125.0％的规定范围分布于软钎料镀覆层中。软钎料镀覆层中的Sb均匀，因此在包括软钎料镀覆层中的内周侧、外周侧在内其整个区域Sb浓度比率处于规定范围。因此不会产生内周侧比外周侧先熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差而芯材料被弹飞的情况。软钎料镀覆层整体几乎均匀地熔融，因此不会产生由熔融时机的偏差而认为产生的芯材料的位置偏移，没有伴随着位置偏移等的电极间的短路等的担心。
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公开(公告)号：CN105980087B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480074919.3
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2101/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81011 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/0106 , H01L2924/01071 , H01L2924/01069 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01059 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01052 , H01L2924/01076 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01004
摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。
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公开(公告)号：CN106029260B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480074929.7
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/30 , C22B15/14 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , C25D7/00
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0048 , B22F1/02 , B22F1/025 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/302 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22F1/00 , C22F1/08 , C25D7/00
摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Cu球、Cu芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合Cu球(20)而形成的。本发明的Cu球(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.95以上，维氏硬度为20HV以上且60HV以下。
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公开(公告)号：CN107097014A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610835984.4
申请日：2015-01-28
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B23K35/26 , B23K35/30 , B22F9/08 , B22F1/02 , B23K35/02 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01B1/02 , H01L23/00 , H05K3/34
CPC分类号： C25D3/60 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K2101/40 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/20 , F16B5/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/12042 , H01L2924/15321 , H05K3/3436 , H05K2201/0218 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , C25D5/10 , C25D7/00
摘要： 本发明涉及Cu芯球的制造方法。本发明的Cu芯球的制造方法具备：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm2以下的Cu球；提供覆盖所述Cu球的表面的焊料镀覆膜的阶段，所述焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，对Cu芯球进行平滑化处理的阶段，该阶段中，通过在将Cu芯球浸渍于镀液的状态下照射超声波来对Cu芯球进行平滑化处理，使所述Cu芯球的算术平均表面粗糙度为0.3μm以下。
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