公开(公告)号：CN103155130B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180049000.5

申请日：2011-11-01

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 千叶淳 ,  手岛聪 ,  小林佑 ,  安德优希

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/06

CPC分类号： C22C5/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/431 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/00013

摘要： 本发明的目的是提高用于在高温和高湿度环境中使用的半导体的接合线键合至铝焊点的可靠性。解决方式是一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由4-10质量％的具有99.999质量％以上的纯度的金，2-5质量％的具有99.99质量％以上的纯度的钯和剩余质量％的具有99.999质量％以上的纯度的银制成。这种用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属元素，并且在通过模具连续拉伸之前经过热退火，且在通过模具连续拉伸之后经过热回火，并且这种接合线在氮氛中进行球焊。在铝焊点与线之间的界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀由Au2Al和富Pb层抑制。

公开(公告)号：CN102292802B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201080005228.X

申请日：2010-01-20

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 藏本雅史 ,  小川悟 ,  丹羽实辉

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。

公开(公告)号：CN102292802A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005228.X

申请日：2010-01-20

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 藏本雅史 ,  小川悟 ,  丹羽实辉

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。

公开(公告)号：CN102066488A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123038.5

申请日：2009-04-18

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： K.S.伯恩汉 ,  L.丹克斯 ,  M.W.维塞尔

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08K3/10 ,  C08J5/00 ,  B32B27/38 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L24/31 ,  C08K3/10 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/54 ,  C09J163/00 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29498 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/00012

摘要： 可固化的热界面材料组合物，其包括环氧聚合物粘合剂基质；高传导率填料；低熔融温度焊剂材料；和基质材料改性剂。

公开(公告)号：CN100487883C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580035318.2

申请日：2005-09-28

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 村井博 ,  千叶淳 ,  手岛聪

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02

CPC分类号： C22C5/02 ,  B23K35/3013 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01404 ,  H01L2924/01006

摘要： 提供一种金合金焊接细线，其具有所需的强度、良好的焊接性、长期稳定性以及改善了的压接球圆形度和熔融球球形度。该金合金焊线含有：在金合金基质中作为痕量元素的10-100质量ppm的Mg、5-100质量ppm的Ce和每种元素含量为5-100质量ppm的选自Be、Y、Gd、La、Eu和Si中的至少一种，其中Be、Y、Gd、La、Eu和Si的总含量为5-100质量ppm，或者作为痕量元素的Mg、Be和选自Y、La、Eu和Si中的至少一种，或者作为痕量元素的10-100质量ppm的Mg、5-30质量ppm的Si、5-30质量ppm的Be和5-30质量ppm的选自Ca、Ce和Sn中的至少一种，所述金合金基质含有在高纯金中总量为0.05-2质量%的选自Pd和Pt中的至少一种的高纯元素。

公开(公告)号：CN1169202C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN01121320.5

申请日：2001-05-31

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 村井博 ,  三苫修一 ,  德山威吏 ,  本村光友

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  C22C5/02

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  C22C5/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45694 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供一种半导体元件连接用金线和半导体元件的连接方法。该金线中包含5～100质量ppm的Ca、5～100质量ppm的Gd、1～100质量ppm的Y，优选还含有1～100质量ppm的Eu、La、Ce和Lu中的至少一种，更优选地还含有1～100质量ppm的Mg、Ti、Pb中的至少一种，这些元素的总量在200质量ppm以下，其余为金和不可避免的杂质。该半导体元件的连接方法用该金线进行球键合和凸点键合。

公开(公告)号：CN1152299A

公开(公告)日：1997-06-18

申请号：CN96190066.0

申请日：1996-06-07

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小松通泰 ,  池田和男 ,  水野谷信幸 ,  佐藤孔俊 ,  今泉辰弥 ,  近藤和行

IPC分类号： C04B35/58 ,  H01L21/52 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/33 ,  C04B35/584 ,  C04B35/5935 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的高热导性氮化硅烧结体的特征在于：含有换算成氧化物为大于7.5重量％小于17.5重量％的稀土族元素，按需要含有低于1.0重量％的氮化铝或氧化铝中的至少一种；根据需要含有0.1～3.0重量％的从由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W的氧化物、碳化物、氮化物、硅化物、硼化物组成的群体中选出的至少一种、作为其他的杂质阳离子元素合计含有0.3重量％以下的Li、Na、K、Fe、Ca、Mg、Sr、Ba、Mn、B，它由α相型氮化硅结晶和晶界相构成。该烧结体的晶界相中的结晶化合物相对晶界相整体的比率大于20％，而气孔率按容量比算低于2.5％、热导率大于20W/m·K、三点弯曲强度在室温下大于650MPa。若按该构成，除去氮化硅烧结体原本就具有的高强度特性之外，可得到热导率高、散热性优良的氮化硅烧结体。本发明的压接结构体的构成是把发热部件压接到由上述氮化硅烧结体构成的散热板上。

公开(公告)号：CN105980087A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480074919.3

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  B22F9/14 ,  B23K35/14 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2101/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。

公开(公告)号：CN101894815B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010167589.6

申请日：2010-04-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 本间琢朗 ,  高田佳史

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/02697 ,  H01L22/32 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。

公开(公告)号：CN103415633A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012387.1

申请日：2012-02-15

申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社

发明人： 加纳学

IPC分类号： C22B15/14 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/00 ,  C25C1/12 ,  C25C7/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/12 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48

摘要： 一种铜或铜合金，其特征在于，α射线量为0.001cph/cm2以下。最近的半导体器件具有高密度化和高容量化，因此，受到来自于半导体芯片附近的材料的α射线的影响而发生软错误的危险增多。特别是，对于靠近半导体器件使用的铜或铜合金布线、铜或铜合金接合线、焊锡材料等的铜或铜合金的高纯度化的要求强烈，而且寻求α射线少的材料，因此，本发明的课题在于阐明铜或铜合金的α射线产生的现象并且得到能适应于所要求的材料的使α射线量降低后的铜或铜合金及以铜或铜合金作为原料的接合线。