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公开(公告)号：CN106536124B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480080357.3
申请日：2014-08-29
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/02 , B22F2999/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/365 , C22C13/00 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C28/04 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11318 , H01L2224/1182 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13561 , H01L2224/13687 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/0544 , C22C1/0483
摘要： 本发明提供可以抑制氧化膜生长的软钎料材料。作为软钎料材料的焊料球1A由软钎料层2和覆盖软钎料层2的覆盖层3构成。软钎料层2为球状，由如下金属材料构成，该金属材料由Sn含量为40％以上的合金构成。或者软钎料层2由Sn含量为100％的金属材料构成。覆盖层3在软钎料层2的外侧形成SnO膜3a，且在SnO膜3a的外侧形成SnO2膜3b。覆盖层3的厚度大于0nm且为4.5nm以下是优选的。另外，焊料球1A的黄色度为5.7以下是优选的。
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公开(公告)号：CN103855101B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310206597.0
申请日：2013-05-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/24
CPC分类号： H05K1/0271 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/1012 , H01L2224/13147 , H01L2224/1316 , H01L2224/16235 , H01L2224/81138 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , Y10T428/12444 , Y10T428/21 , Y10T442/3024 , Y10T442/3041 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开一种减能结构。此减能结构包括减能主体、至少一第一减能基底及至少一第二减能基底。减能主体具有彼此相对的上表面及下表面。第一减能基底设置于减能主体的上表面上。第二减能基底设置于减能主体的下表面上。其中，至少一第一减能基底与至少一第二减能基底的互相交错。
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公开(公告)号：CN104425389B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410446263.5
申请日：2014-09-03
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： B23K1/203 , B23K1/0016 , B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03828 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13605 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13616 , H01L2224/13617 , H01L2224/13618 , H01L2224/1362 , H01L2224/13624 , H01L2224/13638 , H01L2224/13639 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/13671 , H01L2924/3651 , H01L2924/384 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H05K2201/10621 , H05K2201/10734 , H05K2203/041 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01015
摘要： 本发明涉及凸块电极、凸块电极基板以及其制造方法，研究焊料镀层的熔融工序，以便在电极焊盘上可以将成为凸块电极的核层的Cu球的中心在其水平截面上再现性良好地配置于所包覆的焊料的外壳的中心。具备接合于电极焊盘(12)上、施加焊料(14)到成为核层的Cu球(13)上的凸块电极(30)，在凸块电极(30)涂布助焊剂(16)之后，搭载于电极焊盘(12)上，加热电极焊盘(12)以及Cu核球而将焊料镀层(24)熔融的熔融工序中，将搭载有电极焊盘(12)以及Cu核球的基板(11)的加热率设定为0.01[℃/sec]以上～不足0.3[℃/sec]的范围。
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公开(公告)号：CN103703168B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380002311.5
申请日：2013-03-15
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： C25D7/00 , B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/14 , B23K35/26 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D17/22 , H01L21/60
CPC分类号： B23K35/262 , B22F1/025 , B23K35/0244 , B23K35/264 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D7/00 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/11334 , H01L2224/13147 , H01L2224/1316 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13655 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/3651 , H05K3/3478 , H05K2203/041 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明的实施方式的焊料包覆球（10A）具有：球状的芯（11）和以包覆芯（11）的方式形成的焊料层（12），焊料层（12）含有Sn和Bi，Bi含有率为45质量％以上65质量％以下，并且，Bi的含有率在内侧高、在外侧低。其他的焊料包覆球（10B）在芯（11）与焊料层（12）之间还具有Ni镀层（13）。
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公开(公告)号：CN102738111B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110103218.6
申请日：2011-04-18
申请人： 瑞鼎科技股份有限公司
发明人： 陈进勇
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/4985 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1316 , H01L2224/1412 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种晶片封装结构，包含可挠性基板、晶片以及复数条导线。晶片设置在可挠性基板上，可挠性基板上定义有第一边界以及第二边界，第一边界位于晶片及第二边界之间，第一边界与晶片间形成第一区域，第二边界与第一边界间形成第二区域。晶片包含复数个无信号接点以及复数个有信号接点。复数条导线设置于可挠性基板上，包含复数条无信号导线以及复数条有信号导线。复数条无信号导线分别自复数个无信号接点向外延伸至第一边界，且选择性延伸至第二区域内。复数条有信号导线分别自复数个有信号接点向外延伸超出第二边界且与复数个接脚连接。其中，无信号导线的线宽小于有信号导线延伸超过该第二边界的部分的线宽。
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公开(公告)号：CN108172523A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711286173.4
申请日：2017-12-07
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0227 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/40 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/34 , C22C1/0483 , H01L24/10 , H01L24/12 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05099 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155
摘要： 提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料，其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料，是以Bi的浓度比在91.7～106.7％的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此，不会发生如下的情况：内周侧比外周侧更早发生熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差，使芯材料被弹飞。另外，软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融，因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移，因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。
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公开(公告)号：CN106536124A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480080357.3
申请日：2014-08-29
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/02 , B22F2999/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/365 , C22C13/00 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C28/04 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11318 , H01L2224/1182 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13561 , H01L2224/13687 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/0544 , C22C1/0483
摘要： 本发明提供可以抑制氧化膜生长的软钎料材料。作为软钎料材料的焊料球1A由软钎料层2和覆盖软钎料层2的覆盖层3构成。软钎料层2为球状，由如下金属材料构成，该金属材料由Sn含量为40％以上的合金构成。或者软钎料层2由Sn含量为100％的金属材料构成。覆盖层3在软钎料层2的外侧形成SnO膜3a，且在SnO膜3a的外侧形成SnO2膜3b。覆盖层3的厚度大于0nm且为4.5nm以下是优选的。另外，焊料球1A的黄色度为5.7以下是优选的。
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公开(公告)号：CN103178051B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210111141.1
申请日：2012-04-16
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/538
CPC分类号： H01L24/94 , H01L23/481 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1316 , H01L2224/13184 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 本揭露公开一种半导体元件堆叠结构，其包括多个半导体元件及至少一加固结构。半导体元件相互堆叠，其中至少一半导体元件具有至少一穿硅孔。各至少一加固结构围绕相应的至少一穿硅孔，并且电性隔绝于半导体元件。至少一加固结构包括多个加固件及至少一连结件。加固件位于半导体元件之间，其中加固件在平面上的垂直投影围出封闭区域，且至少一穿硅孔在平面上的投影位于封闭区域内。连结件位于加固件在平面上的垂直投影的重叠区域内，用以连接加固件，而构成至少一加固结构。
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公开(公告)号：CN103855101A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310206597.0
申请日：2013-05-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/24
CPC分类号： H05K1/0271 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/1012 , H01L2224/13147 , H01L2224/1316 , H01L2224/16235 , H01L2224/81138 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , Y10T428/12444 , Y10T428/21 , Y10T442/3024 , Y10T442/3041 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开一种减能结构。此减能结构包括减能主体、至少一第一减能基底及至少一第二减能基底。减能主体具有彼此相对的上表面及下表面。第一减能基底设置于减能主体的上表面上。第二减能基底设置于减能主体的下表面上。其中，至少一第一减能基底与至少一第二减能基底的互相交错。
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公开(公告)号：CN101617396B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200880005748.3
申请日：2008-03-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要： 本发明的实施例包括涉及到具有电迁移帽和镀覆焊料的铜管芯凸点的设备和方法。在一个实施例中，一种设备包括：集成电路管芯；管芯表面上的多个铜凸点；基本覆盖铜凸点的配合面，能够控制铜凸点和焊料之间的金属间化合物的形成的电迁移(EM)帽；以及EM帽上的能够保护EM帽，防止其在封装之前被氧化的焊料镀层。
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