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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107735212B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201680039077.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 准确地辨别不易氧化的软钎料材料。Cu芯球具备：Cu球，其具有规定的大小，用于在半导体封装体与印刷电路基板之间确保间隔；以及，被覆铜球的软钎料层。就Cu芯球而言，在位于温度为25℃、湿度为40％的室内的150℃的恒温槽中的72小时的烘烤试验后，在L*a*b*表色系统中的亮度为62.5以上，烘烤试验前的软钎料材料在L*a*b*表色系统中的亮度为65以上且在L*a*b*表色系统中的黄色度为7.0以下。
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公开(公告)号：CN108172523A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711286173.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0227 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/40 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/34 , C22C1/0483 , H01L24/10 , H01L24/12 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05099 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155
Abstract: 提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料，其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料，是以Bi的浓度比在91.7～106.7％的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此，不会发生如下的情况：内周侧比外周侧更早发生熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差，使芯材料被弹飞。另外，软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融，因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移，因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。
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公开(公告)号：CN110325320A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880014631.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明提供可以抑制电迁移产生的焊接材料，焊接材料具备：由Cu或Cu合金构成的球状的核2A、和覆盖核2A的焊料层3A，所述焊接材料是核球1A，其中，焊料层3A中，Cu含量为0.1质量%以上且3.0质量%以下、Bi含量为0.5质量%以上且5.0质量%以下、Ag含量为0质量%以上且4.5质量%以下、Ni含量为0质量%以上且0.1质量%以下、Sn为余量。
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公开(公告)号：CN108172523B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201711286173.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料，其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料，是以Bi的浓度比在91.7～106.7％的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此，不会发生如下的情况：内周侧比外周侧更早发生熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差，使芯材料被弹飞。另外，软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融，因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移，因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。
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公开(公告)号：CN107735212A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680039077.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/0244 , B22F1/00 , B22F1/0048 , B22F1/0085 , B22F1/02 , B22F1/025 , B23K35/0227 , B23K35/0238 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , B23K35/3602 , B23K35/365 , C22C13/00 , G01N21/951 , G01N21/95684 , G01N2021/95646 , H01L23/49816 , H01L24/00 , H01L24/13 , H01L2224/13016 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/20105
Abstract: 准确地辨别不易氧化的软钎料材料。Cu芯球具备：Cu球，其具有规定的大小，用于在半导体封装体与印刷电路基板之间确保间隔；以及，被覆铜球的软钎料层。就Cu芯球而言，在位于温度为25℃、湿度为40％的室内的150℃的恒温槽中的72小时的烘烤试验后，在L*a*b*表色系统中的亮度为62.5以上，烘烤试验前的软钎料材料在L*a*b*表色系统中的亮度为65以上且在L*a*b*表色系统中的黄色度为7.0以下。
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