公开(公告)号：CN101894815B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010167589.6

申请日：2010-04-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 本间琢朗 ,  高田佳史

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/02697 ,  H01L22/32 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。

公开(公告)号：CN101894815A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010167589.6

申请日：2010-04-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 本间琢朗 ,  高田佳史

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/02697 ,  H01L22/32 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。